[实用新型]具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件有效
| 申请号： | 201720125140.0 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN206401324U | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 夏远洋;苗操;李亦衡;朱廷刚;严文胜 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件，包括硅衬底、形成在所述的硅衬底上表面的外延层，所述的硅衬底的上表面形成有至少一条具有深度p+型掺杂通道，所述的p+型掺杂通道形成对所述的硅衬底上表面导电通道的隔断。本实用新型在（Al，Ga）N/Si的界面形成间隔式的电荷耗尽区，能够有效阻隔了界面导电通道，从而达到提升击穿电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 通道 衬底 hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有p+型掺杂通道硅衬底的HEMT器件，包括硅衬底、形成在所述的硅衬底上表面的外延层，其特征在于：所述的硅衬底的上表面形成有至少一条具有深度p+型掺杂通道，所述的p+型掺杂通道形成对所述的硅衬底上表面导电通道的隔断。
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