[实用新型]一种双联节能LED半导体芯片

摘要

本实用新型涉及一种双联节能LED半导体芯片，它由十部分组成，分别是直流电源、导线、正极铜电极、P‑GaN薄膜、GaN薄膜、N‑GaN薄膜、N‑GaN基板、HfO2薄膜、P‑ZnO薄膜、负极铜电极。电子由负极铜电极导入，分别在右侧的发光层HfO2薄膜与左侧的发光层GaN薄膜内与空穴复合并发射光子。根据热致发光原理，HfO2薄膜发射的光子能量大于电场做功，多出的这部分能量来源于左侧发光层GaN薄膜释放的热量。本实用新型提出了一种采用电致发光与热致发光相结合的方法降低功耗的双联LED半导体芯片，以促进LED技术向节能降耗方向的发展。

主权项

一种双联节能LED半导体芯片，其特征在于：所述的LED半导体芯片由十部分组成，分别是直流电源、导线、正极铜电极、P‑GaN薄膜、GaN薄膜、N‑GaN薄膜、N‑GaN基板、HfO2薄膜、P‑ZnO薄膜、负极铜电极，所述直流电源通过所述导线连接金属铜电极，电子由负极流入，经过N‑GaN薄膜、HfO2薄膜、P‑ZnO薄膜、N‑GaN基板、N‑GaN薄膜、GaN薄膜、P‑GaN薄膜，由负极流出，所述N‑GaN薄膜、HfO2薄膜、P‑ZnO薄膜、N‑GaN薄膜、GaN薄膜、P‑GaN薄膜均为矩形截面结构且长、宽尺寸相同，所述P‑GaN薄膜、N‑GaN薄膜、GaN薄膜构成的P‑GaN/N‑GaN/GaN发光PN结通过化学气相沉积法与N‑GaN基板在界面处通过化学键连接，所述N‑GaN薄膜、HfO2薄膜、P‑ZnO薄膜构成的N‑GaN/HfO2/P‑ZnO发光PN结通过化学气相沉积法与N‑GaN基板在界面处通过化学键连接，热量通过N‑GaN基板由P‑GaN/N‑GaN/GaN发光PN结传递至N‑GaN/HfO2/P‑ZnO发光PN结。