[实用新型]一种LED多芯片封装结构有效
申请号: | 201720007200.9 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN206312934U | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 林明珠 | 申请(专利权)人: | 林明珠 |
主分类号: | H01L33/54 | 分类号: | H01L33/54;H01L33/62;H01L33/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362609 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种LED多芯片封装结构,所述LED多芯片封装结构包括平面镀银高反射MCPCB封装基板,GaN大功率蓝光LED芯片,荧光粉涂层和塑封透镜,通过在LED芯片表面涂覆荧光粉结构,使得YAGCe荧光粉和氮化物荧光粉的再吸收问题得到了有效的改善,LED芯片发出的蓝光转化为黄绿光后逸出的概率增大,分层结构中氮化物荧光粉激发效率得到有效提升,荧光粉涂层整体透光性增强。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种LED多芯片封装结构,其特征在于:所述LED多芯片封装结构包括平面镀银高反射MCPCB封装基板,GaN大功率蓝光LED芯片,荧光粉涂层和塑封透镜;所述平面镀银高反射MCPCB封装基板设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔,所述倒锥形孔之间是交叠设置的;所述GaN蓝光大功率LED芯片包括若干个LED芯片,所述若干个LED芯片是规律分布在所述的反射杯内,所述LED芯片通过导电银胶固定在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上,利用超声金丝球将所述GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与所述平面镀银高反射MCPCB封装基板的引线框架引脚焊连,所述的LED芯片之间也是利用超声金丝球焊接;所述的荧光粉涂层是氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的分层结构,并利用脉冲分层喷涂混合涂覆技术将所述的分层结构涂覆在所述的GaN蓝光大功率LED芯片表面之上;所述的透镜是在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上直接塑封出来的,所述透镜为高透光硅胶透镜。
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