[实用新型]一种LED多芯片封装结构有效
申请号: | 201720007200.9 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN206312934U | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 林明珠 | 申请(专利权)人: | 林明珠 |
主分类号: | H01L33/54 | 分类号: | H01L33/54;H01L33/62;H01L33/50 |
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地址: | 362609 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及LED领域,尤其涉及一种LED多芯片封装结构。
背景技术
近年来,基于节能环保、效率高、小体积、长寿命等特点,LED灯越来越受到消费者的青睐,但是目前的LED光源结构中的荧光粉结构,存在出光效率不高,整体透光性不好的缺陷。
实用新型内容
本实用新型的的目的在于克服现有技术的缺陷,提供了一种LED多芯片封装结构,包括平面镀银高反射MCPCB封装基板,GaN大功率蓝光LED芯片,荧光粉涂层和塑封透镜。
所述平面镀银高反射MCPCB封装基板设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔,所述倒锥形孔之间是交叠设置的。
所述GaN蓝光大功率LED芯片包括若干个LED芯片,所述若干个LED芯片是规律分布在所述的反射杯内,所述LED芯片通过导电银胶固定在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上,利用超声金丝球将所述GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与所述平面镀银高反射MCPCB封装基板的引线框架引脚焊连,所述的LED芯片之间也是利用超声金丝球焊接。
所述的荧光粉涂层是氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的分层结构,并利用脉冲分层喷涂混合涂覆技术将所述的分层结构涂覆在所述的GaN蓝光大功率LED芯片表面之上。
所述的透镜是在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上直接塑封出来的,所述透镜为高透光硅胶透镜。
所述的荧光粉涂层中氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的厚度比例可以根据所需光源颜色成分设置的。
所述的LED多芯片封装结构采用分层荧光粉涂覆结构后,YAG:Ce荧光粉与氮化物荧光粉间的再吸收问题得到了有效的改善,LED芯片发出的蓝光转换为黄绿光后逸出的概率增大,荧光粉涂层整体透光性增强,分层结构中氮化物荧光粉激发概率得到有效提升,仅需要较小的涂层厚度便可获得与混合结构相同的红光成分,这对降低LED多芯片封装光源的制造具有十分重要的实用价值。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明,实施例仅是本实用新型的一个实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据附图获取其他的实施例,也在本发明的保护范围之内。
图1为本实用新型LED多芯片封装结构中一个LED芯片的结构示意图;
图2为本实用新型LED多芯片封装结构的局部结构示意图及封装基板的倒锥形孔示意图。
附图标记:1-平面镀银高反射MCPCB封装基板,2- GaN大功率蓝光LED芯片,3-荧光粉涂层,4-焊接金线,5-塑封透镜,6-倒锥形孔。
具体实施方式
如图1和图2所示,本实用新型所揭示的一种LED多芯片封装结构,包括平面镀银高反射MCPCB封装基板1,GaN大功率蓝光LED芯片2,荧光粉涂层3和塑封透镜5。
平面镀银高反射MCPCB封装基板1设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔6,倒锥形孔6之间是交叠设置的。
GaN蓝光大功率LED芯片2包括若干个LED芯片,若干个LED芯片是规律分布在反射杯内,LED芯片通过导电银胶固定在平面镀银高反射MCPCB封装基板1上,利用超声金丝球将GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与平面镀银高反射MCPCB封装基板1上引线框架引脚焊连, LED芯片之间也是利用超声金丝球焊接。
荧光粉涂层3是氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的分层结构,并利用脉冲分层喷涂混合涂覆技术将分层结构涂覆在所述的GaN蓝光大功率LED芯片2表面之上。
塑封透镜是在平面镀银高反射MCPCB封装基板1上直接塑封出来的,透镜为高透光硅胶透镜。
荧光粉涂层中氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的厚度比例可以根据所需光源颜色成分设置的。
本封装结构采用分层荧光粉涂覆结构后,YAG:Ce荧光粉与氮化物荧光粉间的再吸收问题得到了有效的改善,LED芯片发出的蓝光转换为黄绿光后逸出的概率增大,荧光粉涂层整体透光性增强,分层结构中氮化物荧光粉激发概率得到有效提升,仅需要较小的涂层厚度便可获得与混合结构相同的红光成分,这对降低LED多芯片封装光源的制造具有十分重要的实用价值。
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