[实用新型]一种LED多芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 201720007200.9 申请日: 2017-01-04
公开(公告)号: CN206312934U 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 林明珠 申请(专利权)人: 林明珠
主分类号: H01L33/54 分类号: H01L33/54;H01L33/62;H01L33/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 led 芯片 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及LED领域,尤其涉及一种LED多芯片封装结构。

背景技术

近年来,基于节能环保、效率高、小体积、长寿命等特点,LED灯越来越受到消费者的青睐,但是目前的LED光源结构中的荧光粉结构,存在出光效率不高,整体透光性不好的缺陷。

实用新型内容

本实用新型的的目的在于克服现有技术的缺陷,提供了一种LED多芯片封装结构,包括平面镀银高反射MCPCB封装基板,GaN大功率蓝光LED芯片,荧光粉涂层和塑封透镜。

所述平面镀银高反射MCPCB封装基板设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔,所述倒锥形孔之间是交叠设置的。

所述GaN蓝光大功率LED芯片包括若干个LED芯片,所述若干个LED芯片是规律分布在所述的反射杯内,所述LED芯片通过导电银胶固定在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上,利用超声金丝球将所述GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与所述平面镀银高反射MCPCB封装基板的引线框架引脚焊连,所述的LED芯片之间也是利用超声金丝球焊接。

所述的荧光粉涂层是氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的分层结构,并利用脉冲分层喷涂混合涂覆技术将所述的分层结构涂覆在所述的GaN蓝光大功率LED芯片表面之上。

所述的透镜是在所述的平面镀银高反射MCPCB封装基板上直接塑封出来的,所述透镜为高透光硅胶透镜。

所述的荧光粉涂层中氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的厚度比例可以根据所需光源颜色成分设置的。

所述的LED多芯片封装结构采用分层荧光粉涂覆结构后,YAG:Ce荧光粉与氮化物荧光粉间的再吸收问题得到了有效的改善,LED芯片发出的蓝光转换为黄绿光后逸出的概率增大,荧光粉涂层整体透光性增强,分层结构中氮化物荧光粉激发概率得到有效提升,仅需要较小的涂层厚度便可获得与混合结构相同的红光成分,这对降低LED多芯片封装光源的制造具有十分重要的实用价值。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明,实施例仅是本实用新型的一个实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据附图获取其他的实施例,也在本发明的保护范围之内。

图1为本实用新型LED多芯片封装结构中一个LED芯片的结构示意图;

图2为本实用新型LED多芯片封装结构的局部结构示意图及封装基板的倒锥形孔示意图。

附图标记:1-平面镀银高反射MCPCB封装基板,2- GaN大功率蓝光LED芯片,3-荧光粉涂层,4-焊接金线,5-塑封透镜,6-倒锥形孔。

具体实施方式

如图1和图2所示,本实用新型所揭示的一种LED多芯片封装结构,包括平面镀银高反射MCPCB封装基板1,GaN大功率蓝光LED芯片2,荧光粉涂层3和塑封透镜5。

平面镀银高反射MCPCB封装基板1设有反射杯和若干规律分布的倒锥形孔6,倒锥形孔6之间是交叠设置的。

GaN蓝光大功率LED芯片2包括若干个LED芯片,若干个LED芯片是规律分布在反射杯内,LED芯片通过导电银胶固定在平面镀银高反射MCPCB封装基板1上,利用超声金丝球将GaN蓝光大功率LED芯片的正负极与平面镀银高反射MCPCB封装基板1上引线框架引脚焊连, LED芯片之间也是利用超声金丝球焊接。

荧光粉涂层3是氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的分层结构,并利用脉冲分层喷涂混合涂覆技术将分层结构涂覆在所述的GaN蓝光大功率LED芯片2表面之上。

塑封透镜是在平面镀银高反射MCPCB封装基板1上直接塑封出来的,透镜为高透光硅胶透镜。

荧光粉涂层中氮化物荧光粉与YAG:Ce荧光粉的厚度比例可以根据所需光源颜色成分设置的。

本封装结构采用分层荧光粉涂覆结构后,YAG:Ce荧光粉与氮化物荧光粉间的再吸收问题得到了有效的改善,LED芯片发出的蓝光转换为黄绿光后逸出的概率增大,荧光粉涂层整体透光性增强,分层结构中氮化物荧光粉激发概率得到有效提升,仅需要较小的涂层厚度便可获得与混合结构相同的红光成分,这对降低LED多芯片封装光源的制造具有十分重要的实用价值。

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