[发明专利]等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法

摘要

等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统及方法，属于二维材料制备技术领域。所述系统包括真空系统、衬底加热系统、等离子体增强系统和进气管路；真空系统含有镀膜腔室和进样腔室，在镀膜腔室和进样腔室上均分别设有进气口、出气口以及多个观测窗口。本发明旨在利用等离子体辅助促成前驱体反应裂解，并在超高真空下实现对衬底表面和腔体的清洁，在通过特殊设计进气管路进行前驱体定点供给，从而实现在多种材料表面上制备二维材料。本发明强调环境和表面的超高清洁对于二维材料生长的辅助作用，并以此系统与方法实现二维薄膜材料的生长，取消传统的转移过程对材料的破坏以及高温生长对衬底的局限性。

主权项

1.一种等离子体增强化学气相沉积制备二维材料的系统，其特征在于：所述系统包括真空系统、衬底加热系统、等离子体增强系统和进气管路；所述真空系统包括真空泵(1)、镀膜腔室(11)和进样腔室(12)，两个真空腔室之间通过管路和阀门连接；在镀膜腔室(11)和进样腔室(12)上均分别设有进气口、出气口以及多个观测窗口；进样腔室(12)内部设有衬底推架(14)，衬底推架(14)与磁力传递杆(13)连接；在镀膜腔室(11)内设置衬底加热系统，衬底加热系统包括样品台(2)，以及分别安装在样品台上方和下方的上加热器(21)和下加热器(22)；所述等离子体增强系统含有等离子体发生器(3)；上极板(32)和下极板(31)分别设置在样品台的上表面和下表面，并分别通过引线与设置在镀膜腔室(11)外部的等离子体发生器(3)连接。