[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201711455862.3 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108347177B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 武藤邦治;神田良 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H01L25/16 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置,实现了半导体装置性能的提升。半导体装置包括多个第一半导体芯片、多个第二半导体芯片、电阻部件以及半导体芯片,所述半导体芯片包括耦合至电阻部件两端上的电极的第一电路。密封体具有第一边(长边)、第二边(长边)、第三边(短边)以及第四边(短边)。在Y方向上,第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个设置在相比于第二边更靠近第一边的位置处,同时半导体芯片设置在相比于第一边更靠近第二边的位置处。而且,在Y方向上,设置电阻部件、第二半导体芯片和第一半导体芯片,以便增加从第三边朝向第四边的距离,同时半导体芯片设置在相比于第四边更靠近第三边的位置处。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:多个第一半导体芯片,所述多个第一半导体芯片每一个都包括第一表面、暴露在所述第一表面处的第一表面电极、以及耦合至所述第一表面电极的第一功率晶体管;多个第二半导体芯片,所述多个第二半导体芯片每一个都包括第二表面、暴露在所述第二表面处的第二表面电极、以及耦合至所述第一表面电极的第二功率晶体管;第一电子部件,所述第一电子部件包括电耦合至所述第二功率晶体管的第一电极、与所述第一电极相反的第二电极、以及耦合至所述第一电极和所述第二电极的电阻元件;第三半导体芯片,所述第三半导体芯片包括第三表面、暴露在所述第三表面处的多个第三表面电极、以及经由所述第三表面电极中的任一个电耦合至所述第一电子部件的所述第一电极和所述第二电极中的每一个的第一电路;第一芯片安装部,在所述第一芯片安装部上方安装所述第一半导体芯片;第二芯片安装部,在所述第二芯片安装部上方安装所述第二半导体芯片;第三芯片安装部,在所述第三芯片安装部上方安装所述第三半导体芯片;密封体,所述密封体具有在平面图中在第一方向上延伸的第一长边、在平面图中与所述第一长边相反的第二长边、在平面图中在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一短边、以及在平面图中与所述第一短边相反的第二短边,并且所述密封体将所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第三半导体芯片、所述第一电子部件、所述第一芯片安装部、所述第二芯片安装部、以及所述第三芯片安装部密封在所述密封体中;以及多个引脚,所述多个引脚每一个都耦合至所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第三半导体芯片、以及所述第一电子部件中的任一个,并且具有密封在所述密封体中的其一部分以及从所述密封体的所述第一长边和所述第二长边中的一个暴露出来的其另一部分,其中,在所述第二方向上,所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个都布置在相比于所述密封体的所述第二长边更靠近所述密封体的所述第一长边的位置处,同时所述第三半导体芯片布置在相比于所述密封体的所述第一长边更靠近所述密封体的所述第二长边的位置处,以及其中,在所述第一方向上,安排所述第一电子部件、所述第二半导体芯片、以及所述第一半导体芯片,以便增大从所述密封体的所述第一短边朝向所述密封体的所述第二短边的距离,同时所述第三半导体芯片布置在相比于所述第二短边更靠近所述第一短边的位置处。
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