[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，实现了半导体装置性能的提升。半导体装置包括多个第一半导体芯片、多个第二半导体芯片、电阻部件以及半导体芯片，所述半导体芯片包括耦合至电阻部件两端上的电极的第一电路。密封体具有第一边(长边)、第二边(长边)、第三边(短边)以及第四边(短边)。在Y方向上，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个设置在相比于第二边更靠近第一边的位置处，同时半导体芯片设置在相比于第一边更靠近第二边的位置处。而且，在Y方向上，设置电阻部件、第二半导体芯片和第一半导体芯片，以便增加从第三边朝向第四边的距离，同时半导体芯片设置在相比于第四边更靠近第三边的位置处。

相关申请交叉引用

2016年12月28日提交的包括说明书、附图和摘要的日本专利申 请No.2016-254678的公开内容通过引用被整体并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置且例如涉及一种其中多个电子部件被 包含在单个封装中的半导体装置，多个电子部件包括各具有功率晶体 管的半导体芯片。

背景技术

日本未审专利申请公布No.2004-15946(专利文献1)以及日本未 审专利申请公布No.2012-69764(专利文献2)中每一个都描述了一种 半导体装置，其中反相器电路中包括的开关元件和分流电阻器被包含 在单个封装中。

[现有技术]

[专利文献]

[专利文献1]日本未审专利申请公布No.2004-15946

[专利文献2]日本未审专利申请公布No.2012-69764

发明内容

在驱动空调装置、汽车、各种工业装置等的各个供电系统中，嵌 入诸如反相器电路的功率转换电路。功率转换电路的构造实例包括电 子装置(功率转换装置或半导体模块)，其中具有各操作为开关元件 的晶体管(功率晶体管)的多个半导体芯片被安装在单个衬底中且彼 此电连接。

本发明人已经进行研究以提高包括所谓的诸如上述功率转换电路 的电源系统电路的半导体装置的性能且发现一种改进方式。例如，可 认为采用如下方法：其中为了抑制功率转换电路的错误操作，测量在 功率转换电路等中流动的电流值，且根据测量结果控制电路操作。在 这种情况下，需要提高测量精度。

从本说明书和附图中的描述将使本发明其他问题和新颖特征变得 显而易见。

根据一个实施例的半导体装置包括各包括第一功率晶体管的多个 第一半导体芯片、各包括第二功率晶体管的多个第二半导体芯片、电 耦合至上述第二功率晶体管的电阻部件、以及包括电耦合至上述电阻 部件的两端上的电极的第一电路的第三半导体芯片。在其中密封上述 多个第一半导体芯片，上述多个第二半导体芯片以及上述第三半导体 芯片的密封体具有在第一方向上延伸的第一长边、与上述第一长边相 反的第二长边、在与上述第一方向相交的第二方向上延伸的第一短边 以及与上述第一短边相反的第二短边。在上述第二方向上，上述多个 第一半导体芯片和上述多个第二半导体芯片中的每一个设置在比上述 密封体的上述第二长边更靠近上述密封体的上述第一长边的位置处， 同时上述第三半导体芯片设置在比上述密封体的第一长边更靠近上述 密封体的上述第二长边的位置处。在上述第一方向上，安排上述电阻 部件，上述多个第二半导体芯片以及上述多个第一半导体芯片以便朝 向上述密封体的上述第二短边增加与上述密封体的上述第一短边的距离，同时上述第三半导体芯片设置在比上述第二短边更靠近上述第一 短边的位置处。

上述实施例使半导体装置的性能被提升。

附图说明

图1是示出一个实施例中的反相器电路以及包括3相感应电机的 电机电路的构造的电路图；

图2是示出其中形成图1中所示的晶体管的半导体芯片的顶侧形 状的平面图；