[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201711455862.3 申请日: 2017-12-28
公开(公告)号: CN108347177B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 武藤邦治;神田良 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00;H01L25/16
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

多个第一半导体芯片,所述多个第一半导体芯片每一个都包括第一表面、暴露在所述第一表面处的第一表面电极、以及耦合至所述第一表面电极的第一功率晶体管;

多个第二半导体芯片,所述多个第二半导体芯片每一个都包括第二表面、暴露在所述第二表面处的第二表面电极、以及耦合至所述第一表面电极的第二功率晶体管;

第一电子部件,所述第一电子部件包括电耦合至所述第二功率晶体管的第一电极、与所述第一电极相反的第二电极、以及耦合至所述第一电极和所述第二电极的电阻元件;

第三半导体芯片,所述第三半导体芯片包括第三表面、暴露在所述第三表面处的多个第三表面电极、以及经由所述第三表面电极中的任一个电耦合至所述第一电子部件的所述第一电极和所述第二电极中的每一个的第一电路;

第一芯片安装部,在所述第一芯片安装部上方安装所述第一半导体芯片;

第二芯片安装部,在所述第二芯片安装部上方安装所述第二半导体芯片;

第三芯片安装部,在所述第三芯片安装部上方安装所述第三半导体芯片;

密封体,所述密封体具有在平面图中在第一方向上延伸的第一长边、在平面图中与所述第一长边相反的第二长边、在平面图中在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第一短边、以及在平面图中与所述第一短边相反的第二短边,并且所述密封体将所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第三半导体芯片、所述第一电子部件、所述第一芯片安装部、所述第二芯片安装部、以及所述第三芯片安装部密封在所述密封体中;以及

多个引脚,所述多个引脚每一个都耦合至所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第三半导体芯片、以及所述第一电子部件中的任一个,并且具有密封在所述密封体中的其一部分以及从所述密封体的所述第一长边和所述第二长边中的一个暴露出来的其另一部分,

其中,在所述第二方向上,所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个都布置在相比于所述密封体的所述第二长边更靠近所述密封体的所述第一长边的位置处,同时所述第三半导体芯片布置在相比于所述密封体的所述第一长边更靠近所述密封体的所述第二长边的位置处,以及

其中,在所述第一方向上,安排所述第一电子部件、所述第二半导体芯片、以及所述第一半导体芯片,以便增大从所述密封体的所述第一短边朝向所述密封体的所述第二短边的距离,同时所述第三半导体芯片布置在相比于所述第二短边更靠近所述第一短边的位置处。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中,所述第三半导体芯片的所述第三表面具有在所述第一方向上延伸的第一边、与所述第一边相反并且在所述第一边和所述密封体的所述第二长边之间设置的第二边、在与所述第一方向交叉的所述第二方向上延伸的第三边、以及与所述第三边相反并且在所述第三边和所述密封体的所述第二短边之间设置的第四边,

其中,经由耦合至所述第三表面电极之中的第一测量电极的第一引线,所述第一电子部件的所述第一电极电耦合至所述第三半导体芯片,

其中,经由耦合至所述第三表面电极之中的第二测量电极的第二引线,所述第一电子部件的所述第二电极电耦合至所述第三半导体芯片,以及

其中,所述第一测量电极和所述第二测量电极中的每一个都布置在所述第三表面上方相比于所述第四边更靠近所述第三边的位置处。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,

其中,所述第一测量电极和所述第二测量电极中的每一个都布置在所述第三表面上方相比于所述第二边更靠近所述第一边的位置处。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,

其中,在平面图中,所述第一电子部件布置在比连接所述密封体的所述第一短边和所述第二短边的各自中间点的中线更靠近所述第一长边的位置处。

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