[发明专利]一种用于减小自加热效应的高压结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711455436.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979893A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陆宇;沈立;周润宝;沈金龙;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，本发明公开了该结构的原理示意图及其制造方法，以减弱SOI高压结构中埋层存在的自加热效应。其中该结构，包括通常的传统的SOI高压结构以及由新材料以不同于传统埋层结构的新型埋层。该材料在不影响或者少量影响器件其他原有属性的情况下，明显降低了自加热效应。该专利包括这种新型结构的材料、结构以及制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 自加热效应 高压结构 埋层 减小 影响器件 传统的 制备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，包括顶层硅、介质埋层及位于埋层下方的衬底，其特征在于，衬底层为N型硅或者P型硅，顶层硅和衬底层之间通过介质埋层进行隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司，未经上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711455436.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：ESOP8双基岛封装框架
- 下一篇：一种大功率贴片的散热装置
