[发明专利]一种用于减小自加热效应的高压结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711455436.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979893A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陆宇;沈立;周润宝;沈金龙;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海卓弘微系统科技有限公司;上海北京大学微电子研究院;上海芯哲微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/762 |
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| 地址： | 201399 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自加热效应 高压结构 埋层 减小 影响器件 传统的 制备 制造 | ||
1.一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，包括顶层硅、介质埋层及位于埋层下方的衬底，其特征在于，衬底层为N型硅或者P型硅，顶层硅和衬底层之间通过介质埋层进行隔离。
2.如权利要求1所述的减小自加热效应的SOI高压结构，其特征在于，所述介质埋层材料热导率大于SiO2。
3.如权利要求1所述的减小自加热效应的SOI高压结构，其特征在于，所述介质埋层采用Si3N4。
4.如权利要求3所述的介质埋层结构，其特征在于，介质埋层厚度应为0.08左右μm，小于0.3μm(与电子迁移率等因素有关)。
5.如权利要求3所述的介质埋层结构，其特征在于，该介质埋层为非连续的Si3N4，其上存在多个孔隙。
6.如权利要求5所述的介质埋层结构孔隙，其特征在于，所述孔隙尺寸相同，彼此间距相等。
7.一种减小自加热效应的SOI高压结构制造方法，该减小自加热效应的SOI高压结构包括介质埋层，包括生成该以Si3N4为材料的介质埋层的步骤，其特征在于，衬底层为N型硅或者P型硅，顶层硅和衬底层之间通过带有孔隙的介质埋层进行隔离。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述介质埋层材料为Si3N4或者导热率大于SiO2的其他合适的物质。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述介质埋层厚度应为0.08左右μm，小于0.3μm。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，介质埋层为具有多个孔隙的非连续结构，孔隙尺寸相同，彼此之间间距相等。
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