[发明专利]碳化硅激活退火方法在审
| 申请号： | 201711445000.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979829A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张伟民;甘新慧;蒋正勇;朱家从;计建新 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 易皎鹤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种碳化硅激活退火方法，包括以下步骤：在碳化硅晶片经过离子注入的一侧表面形成第一保护层；在碳化硅晶片形成第一保护层的一侧表面形成第二保护层；将形成第二保护层后的碳化硅晶片进行退火处理；退火处理时第二保护层的热稳定性优于第一保护层的热稳定性。通过在碳化硅表面形成第一保护层和第二保护层，在碳化硅晶片进行退火处理时，第二保护层可防止第一保护层在高温下融化及硅原子升华，第一保护层可有效阻挡碳化硅晶片表面硅原子升华和再沉积，通过两层保护层可解决退火过程中碳化硅表面硅原子的升华和沉积问题，提高了对碳化硅激活退火保护的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 第一保护层 第二保护层 碳化硅晶片 退火 退火处理 碳化硅 碳化硅表面 表面形成 热稳定性 硅原子 激活 升华 表面硅原子 退火过程 保护层 再沉积 两层 沉积 离子 融化 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅激活退火方法，其特征在于，包括以下步骤：在碳化硅晶片经过离子注入的一侧表面形成第一保护层；在碳化硅晶片形成第一保护层的一侧表面形成第二保护层；将形成第二保护层后的碳化硅晶片进行退火处理；退火处理时所述第二保护层的热稳定性优于所述第一保护层的稳定性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
