[发明专利]碳化硅激活退火方法

权利要求书

1.一种碳化硅激活退火方法，其特征在于，包括以下步骤：

在碳化硅晶片经过离子注入的一侧表面形成第一保护层；

在碳化硅晶片形成第一保护层的一侧表面形成第二保护层；

将形成第二保护层后的碳化硅晶片进行退火处理；

退火处理时所述第二保护层的热稳定性优于所述第一保护层的稳定性。

2.根据权利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述在碳化硅晶片经过离子注入的一侧表面形成第一保护层的步骤，包括以下步骤：

将所述碳化硅晶片进行离子注入并去除离子注入掩蔽层；

将去除离子注入掩蔽层的碳化硅晶片置于充入反应气体的反应室中；

通过PECVD方法在所述碳化硅晶片经过离子注入的一侧表面形成第一保护层。

3.根据权利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述在碳化硅晶片经过离子注入的一侧表面形成第二保护层的步骤，包括以下步骤：

将所述形成第一保护层的碳化硅晶片置于绝对真空数值小于5×10^-5Torr的真空环境中；

通过溅射方法在所述碳化硅晶片形成第一保护层的一侧表面淀积第二保护层。

4.根据权利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，在所述将形成第二保护层后的碳化硅晶片进行退火处理的步骤之后，还包括以下步骤：

所述将形成第二保护层后的碳化硅晶片进行退火处理后，去除退火处理后碳化硅晶片的第二保护层；

对去除第二保护层后的碳化硅晶片进行去除所述第一保护层处理。

5.根据权利要求4所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述将形成第二保护层后的碳化硅晶片进行退火处理后，去除退火处理后碳化硅晶片的第二保护层的步骤，包括以下步骤：

将进行退火处理后的碳化硅晶片通过干法氧化去除所述第二保护层。

6.根据权利要求4所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述对去除第二保护层后的碳化硅晶片进行第一保护层去除处理的步骤，包括以下步骤：

将去除第二保护层的碳化硅晶片通过湿法腐蚀去除所述第一保护层。

7.根据权利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述第一保护层为二氧化硅保护层。

8.根据权利要求7所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述二氧化硅保护层的厚度为1.2μm～1.8μm。

9.根据权利要求1所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述第二保护层为碳膜保护层。

10.根据权利要求9所述的碳化硅激活退火方法，其特征在于，所述碳膜保护层厚度为30nm～80nm。