[发明专利]一种MOM电容及集成电路有效
| 申请号： | 201711444665.1 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108172565B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 程剑涛;罗旭程;胡建伟 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/64;H02M3/07 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种MOM电容及集成电路，所述MOM电容包括：衬底；位于衬底上的屏蔽层，屏蔽层为整层结构；位于屏蔽层背离衬底一侧交叉层叠的多层金属层和多层氧化层；每层金属层均包括多个相互交叉的第一叉指结构和第二叉指结构；多层金属层中最靠近屏蔽层的金属层中的第一叉指结构与屏蔽层短接；多层金属层中最靠近屏蔽层的金属层中的第二叉指结构与屏蔽层之间绝缘。本发明中屏蔽层至少能够屏蔽金属层与衬底之间相对表面形成的寄生电容，从而减小了MOM电容的某一个电极相对于衬底的寄生电容，进而使得同等面积下，MOM电容的容值更大，增加了MOM电容的电容密度，使得MOM电容的应用更加广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mom 电容 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种MOM电容，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的屏蔽层，所述屏蔽层为整层结构；
位于所述屏蔽层背离所述衬底一侧交叉层叠的多层金属层和多层氧化层；每层所述金属层均包括多个相互交叉的第一叉指结构和第二叉指结构；多层所述金属层中的第一叉指结构电性相连作为所述MOM电容的第一电极，多层所述金属层中的第二叉指结构电性相连作为所述MOM电容的第二电极；
多层所述金属层中最靠近所述屏蔽层的金属层中的第一叉指结构与所述屏蔽层短接；多层所述金属层中最靠近所述屏蔽层的金属层中的第二叉指结构与所述屏蔽层之间绝缘。
2.根据权利要求1所述的MOM电容，其特征在于，所述多层金属层在所述衬底所在平面上的投影位于所述屏蔽层在所述衬底所在平面上的投影内。3.根据权利要求2所述的MOM电容，其特征在于，所述屏蔽层为多晶硅层。4.根据权利要求3所述的MOM电容，其特征在于，所述多晶硅层为金属硅化多晶硅层。5.根据权利要求2所述的MOM电容，其特征在于，所述屏蔽层为金属层。6.根据权利要求2‑5任意一项所述的MOM电容，其特征在于，所述屏蔽层在所述衬底所在平面上的投影的边缘比所述多层金属层在所述衬底所在平面上的投影的边缘外扩至少2微米。7.根据权利要求6所述的MOM电容，其特征在于，所述屏蔽层在所述衬底所在平面上的投影的边缘比所述多层金属层在所述衬底所在平面上的投影的边缘外扩2微米。8.一种集成电路，其特征在于，包括：权利要求1‑7任意一项所述的MOM电容。9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述集成电路为电荷泵。10.根据权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述电荷泵为交叉耦合电荷泵。
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