[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711444099.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108376701B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 阿形泰典 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;周爽 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明期望调整电位梯度的变化，以便不会因电阻膜的电场而在位于电阻膜下的半导体基板产生雪崩。本发明提供半导体装置，该半导体装置具备半导体基板，半导体基板具有：边缘终端部，其包含外缘区域，所述外缘区域在半导体基板的表面的端部设置于预定的深度范围且是杂质区域；以及有源部，其包含阱区，所述阱区在半导体基板的表面的比外缘区域靠内侧的位置设置于预定的深度范围且是导电型与半导体基板的漂移区的导电型不同的杂质区域，半导体装置还具备：绝缘膜，其在半导体基板的表面上，至少设置于外缘区域与阱区之间，且具有锥形部；以及电阻膜，其设置于绝缘膜上，将外缘区域与阱区电连接，绝缘膜的锥形部的锥角为60度以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备半导体基板，其特征在于，所述半导体基板具有：边缘终端部，其包含外缘区域，所述外缘区域在所述半导体基板的表面的端部设置于预定的深度范围且是杂质区域；以及有源部，其包含阱区，所述阱区在所述半导体基板的所述表面的比所述外缘区域靠内侧的位置设置于预定的深度范围且是导电型与所述半导体基板的漂移区的导电型不同的杂质区域，所述半导体装置还具备：绝缘膜，其在所述半导体基板的所述表面上，至少设置于所述外缘区域与所述阱区之间，且具有锥形部；以及电阻膜，其设置于所述绝缘膜上，将所述外缘区域与所述阱区电连接，所述绝缘膜的所述锥形部的锥角为60度以下。
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