[发明专利]非易失性存储设备和其编程方法有效
| 申请号： | 201711443323.8 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108257632B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李知尚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽;张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非易失性存储设备可以包括存储单元阵列和控制逻辑。存储单元阵列具有连接到多个字线的多个存储单元。控制逻辑在从用于多个存储单元的编程操作的验证步骤到位线设定步骤的转变过程中控制施加恢复电压到多个字线当中的字线。施加到该字线的恢复电压不同于施加到其他字线的恢复电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 设备 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储设备，包括：存储单元阵列，包括连接到多个字线的多个存储单元；以及控制逻辑，被配置为在从用于所述多个存储单元的编程操作的验证步骤到位线设定步骤的转变过程中控制施加恢复电压到所述多个字线当中的至少一个字线，该恢复电压不同于施加到所述多个字线当中的其他字线的另一个恢复电压。
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