[发明专利]非易失性存储设备和其编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储设备，包括：

存储单元阵列，包括基板和连接到多个字线的多个存储单元；以及

控制逻辑，在从用于所述多个存储单元的编程操作的验证步骤到位线设定步骤的转变过程中向所述多个字线当中的至少一个字线同时施加恢复电压，该恢复电压不同于施加到所述多个字线当中的其他字线的另一个恢复电压，其中：

所述多个字线包括第一字线组和第二字线组，并且

所述控制逻辑向第一字线组施加第一恢复电压，向第二字线组施加第二恢复电压，并且向所述多个字线当中除第一字线组和第二字线组之外的其他字线施加第三恢复电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中：

所述多个字线包括第一字线组，并且

所述控制逻辑同时施加第一恢复电压到所述第一字线组以及施加与所述第一恢复电压相比具有更低电压电平的第二恢复电压到所述多个字线当中除了所述第一字线组之外的其他字线。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储设备，其中，所述第一恢复电压具有高于大约0V的电压，并且所述第二恢复电压是地电压。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储设备，其中，所述第一字线组包括作为编程目标的被选择的字线。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储设备，其中，所述第一字线组包括被布置在作为编程目标的被选择的字线与基板之间的N个字线，N是等于1或更大的整数。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中：

所述第一恢复电压的电压电平高于所述第二恢复电压的电压电平，并且

所述第二恢复电压的电压电平高于所述第三恢复电压的电压电平。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中：

所述第一字线组包括作为编程目标的被选择的字线，并且

所述第二字线组包括被布置在所述被选择的字线与基板之间的字线。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中，所述控制逻辑在所述位线设定步骤中维持所述恢复电压的电压电平。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其中，在已经完成了所述位线设定步骤之后，所述控制逻辑向所述多个字线当中作为编程目标的被选择的字线施加编程电压并且向不是编程目标的未被选择的字线施加通过电压。

10.一种对连接到多个字线的存储单元进行编程的非易失性存储设备的编程方法，该编程方法包括：

在验证操作中，向所述多个字线施加多个验证电压；

在验证操作到位线设定步骤的转变过程中，通过同时向所述多个字线当中的至少一个字线施加第一恢复电压并且向所述多个字线当中除了所述至少一个字线之外的字线施加与所述第一恢复电压相比具有更低的电压电平的第二恢复电压来执行恢复步骤；以及

施加：(1)编程电压到所述多个字线当中的被选择的字线，所述被选择的字线是编程目标，并且(2)通过电压到不是编程目标的未被选择的字线，其中：

所述至少一个字线包括被布置在所述被选择的字线与所述非易失性存储设备的基板之间的第N-1字线，并且

在已经完成了所述恢复步骤之后，连接到所述N-1字线的存储单元的栅极电压电平高于连接到被布置在所述第N-1字线与基板之间的第N-2字线的存储单元的栅极电压电平，N是等于1或更大的整数。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述至少一个字线包括所述被选择的字线和被布置在所述被选择的字线与非易失性存储设备的基板之间的第N-1字线中的至少一个。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一恢复电压具有高于大约0V的电压电平，并且所述第二恢复电压是地电压。