[发明专利]一种SOI体接触器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201711442683.6 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108231899B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 宋雷 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI体接触器件，自下而上依次包括衬底、绝缘埋层和有源区，所述有源区包括位于顶层硅中的源区、漏区、沟道、体接触、沟槽隔离，以及位于顶层硅之上的栅氧化层和栅极；所述沟槽隔离呈环形且位于有源区的外围，源区和漏区分别位于沟道的两侧，源区到漏区的方向为沟道方向；所述体接触位于沟道的另外两侧，且两个体接触的连线垂直于沟道方向；所述沟道上方覆盖栅氧化层Ⅱ，所述沟道和体接触之间的空隙以及靠近该空隙的体接触上覆盖栅氧化层Ⅰ，且栅氧化层Ⅱ的厚度小于栅氧化层Ⅰ的厚度；栅氧化层Ⅰ和栅氧化层Ⅱ上沉积栅极。本发明提供的一种SOI体接触器件及其制作方法，可以抑制栅致浮体效应，并保证器件正常电学特性不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 接触 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI体接触器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、绝缘埋层和有源区，其特征在于，所述有源区包括位于顶层硅中的源区、漏区、沟道、体接触、沟槽隔离，以及位于顶层硅之上的栅氧化层和栅极；所述沟槽隔离呈环形且位于有源区的外围，所述源区和漏区分别位于沟道的两侧，源区到漏区的方向为沟道方向；所述体接触位于沟道的另外两侧，且两个体接触的连线垂直于沟道方向；所述沟道上方覆盖栅氧化层Ⅱ，所述沟道和体接触之间的空隙以及靠近该空隙的体接触上覆盖栅氧化层Ⅰ，且栅氧化层Ⅱ的厚度小于栅氧化层Ⅰ的厚度；所述栅氧化层Ⅰ和栅氧化层Ⅱ上沉积栅极。
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