[发明专利]一种SOI体接触器件及其制作方法

权利要求书

1.一种SOI体接触器件，自下而上依次包括衬底、绝缘埋层和有源区，其特征在于，所述有源区包括位于顶层硅中的源区、漏区、沟道、体接触、沟槽隔离，以及位于顶层硅之上的栅氧化层和栅极；所述沟槽隔离呈环形且位于有源区的外围，所述源区和漏区分别位于沟道的两侧，源区到漏区的方向为沟道方向；所述体接触位于沟道的另外两侧，且两个体接触的连线垂直于沟道方向；所述沟道上方覆盖栅氧化层Ⅱ，所述沟道和体接触之间的空隙以及靠近该空隙的体接触上覆盖栅氧化层Ⅰ，且栅氧化层Ⅱ的厚度小于栅氧化层Ⅰ的厚度；所述栅氧化层Ⅰ和栅氧化层Ⅱ上沉积栅极；其中，所述栅氧化层Ⅰ与沟道不重合，且保持一定的距离；所述体接触及其外围形成体接触掺杂，所述栅氧化层Ⅰ与沟道之间的距离小于所述体接触掺杂与沟道之间的距离。

2.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅极为T型栅极或者H型栅极。

3.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅氧化层Ⅱ和栅氧化层Ⅰ为二氧化硅、氮化硅、二氧化铪中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅氧化层Ⅰ的厚度为4-10nm，所述栅氧化层Ⅱ的厚度为1-3nm。

5.根据权利要求1所述的一种SOI体接触器件，其特征在于，所述栅极为金属材料或者多晶硅。

6.一种SOI体接触器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：提供SOI衬底，所述SOI衬底自下而上依次为衬底、绝缘埋层和顶层硅；

S02：在顶层硅的边缘形成环状的沟槽隔离；

S03：在沟槽隔离中间的顶层硅上方生长栅氧化层Ⅰ；

S04：去除沟道上方的栅氧化层Ⅰ；并在沟道上方生长栅氧化层Ⅱ，其中，栅氧化层Ⅱ的厚度小于栅氧化层Ⅰ的厚度；

S05：在栅氧化层Ⅱ和栅氧化层Ⅰ上沉积栅极，刻蚀掉多余的栅氧化层Ⅱ、栅氧化层Ⅰ和栅极；

S06：形成侧墙、源漏掺杂、体接触掺杂和接触孔；所述栅氧化层Ⅰ与沟道不重合，且保持一定的距离；所述体接触及其外围形成体接触掺杂，所述栅氧化层Ⅰ与沟道之间的距离小于所述体接触掺杂与沟道之间的距离。

7.根据权利要求6所述的一种SOI体接触器件的制作方法，其特征在于，所述栅氧化层Ⅱ和栅氧化层Ⅰ均采用干氧生长法或湿氧生长法或原位水汽生成法进行生长。

8.根据权利要求6所述的一种SOI体接触器件的制作方法，其特征在于，当器件为PMOS器件时，所述源漏进行p型掺杂，所述体接触进行n型掺杂；当器件为NMOS器件时，所述源漏进行n型掺杂，所述体接触进行p型掺杂。