[发明专利]一种制备蒸镀用ITO颗粒的工艺方法在审
| 申请号： | 201711425639.4 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109956745A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王文军;刘敏;张天芳 | 申请（专利权）人： | 株洲冶炼集团股份有限公司;王文军 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/638;C04B35/64;C23C14/24;C23C14/08 |
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| 地址： | 412000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备蒸镀用ITO颗粒的工艺方法，该方法包括在无压烧结炉中进行如下步骤：（1）将ITO坯体在氧气流动环境中，以10~100℃/h的升温速率加热至180‑240℃，再以10~30℃/h的升温速率加热至400‑600℃，升温结束后保温1~4h；（2）在氧气流动环境中，以100~200℃/h的升温速率加热至1300~1500℃进行无压氧气烧结，烧结时间为1~10h。本发明的制备方法，简化了粉体制备控制条件，有利于单独控制粉体品质，并且简化了成型、脱脂烧结工艺，在国内ITO颗粒制备方法中尚属于首次。本发明还提供了一种ITO颗粒，该ITO颗粒符合真空蒸镀法的技术指标要求，结构均匀，不易开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 加热 氧气流动 烧结 蒸镀 技术指标要求 无压烧结炉 真空蒸镀法 单独控制 粉体制备 控制条件 烧结工艺 脱脂 粉体 坯体 无压 保温 氧气 成型 | ||
【主权项】：
1.一种制备蒸镀用ITO颗粒的工艺方法，其特征在于，包括在无压烧结炉中进行如下步骤：（1）将ITO坯体在氧气流动环境中，以10~100℃/h的升温速率加热至180‑240℃，再以10~30℃/h的升温速率加热至400‑600℃，升温结束后保温1~4h；（2）在氧气流动环境中，以100~200℃/h的升温速率加热至1300~1500℃进行无压氧气烧结，烧结时间为1~10h，得到ITO颗粒，所述步骤（1）中，以60~100℃/h的升温速率加热至200‑220℃，再以10~30℃/h的升温速率加热至500‑600℃，升温结束后保温1~2h，所述无压烧结炉中氧气流量为5~50L/min，所述ITO坯体是通过将In2O3粉体、SnO2粉体混合添加水和分散剂制得浆料后，先后经过球磨混合、喷雾造粒、金属模具压制成型后制备得到的。
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