[发明专利]一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法有效
| 申请号： | 201711409290.5 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108279369B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 苏洪源;赵发展;李晶;罗家俊;瞿磊;席茜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本申请提供的一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，涉及功率器件技术领域，包括：采用第一小检测电流测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽t |
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| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 电路 瞬态 电流 分布 不均匀 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多芯片并联电路瞬态电流和热分布不均匀度的测试方法，其特征在于，所述方法包括：采用第一小检测电流IM测试多芯片并联电路的第一体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第二小检测电流IM测试多芯片并联电路的第二体二极管结压降，其中第二体二极管结压降小于第一体二极管结压降；根据所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降获得△VF1，其中，△VF1为所述第一体二极管结压降和所述第二体二极管结压降之差；采用第三小检测电流IM测试多芯片并联电路的第三体二极管结压降，进而通入第一脉宽tH的瞬态功率P＝VH*IH；采用第四小检测电流IM测试多芯片并联电路的第四体二极管结压降，其中第四体二极管结压降小于第三体二极管结压降；根据所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降获得△VF2，其中，△VF2为所述第三体二极管结压降和所述第四体二极管结压降之差；根据所述△VF2和△VF1获得△VF，其中△VF＝△VF2‑△VF1，其中，所述△VF表示所述多芯片并联电路瞬态电流和热分布的均匀度。
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