[发明专利]一种晶圆背面镀锡工艺及装置在审
| 申请号： | 201711400331.4 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950155A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 聂仁勇 | 申请（专利权）人： | 海太半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;C25D7/12 |
| 代理公司： | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆背面镀锡工艺，其特征在于，包括以下步骤，步骤一，将晶圆正面蒸金或蒸银；步骤二，将紫外线照射胶带黏贴在晶圆表面；步骤三，在晶圆背面设置电流负极连接触点；步骤四，将通过配置特定比例的镀锡溶液和参数设定，对晶圆背面进行镀锡作业；本发明的有益效果为，芯片的粘贴更加平整；焊料的使用量容易掌控，不会过多或过少；降低了含量的使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 镀锡工艺 晶圆背面 种晶 背面 焊料 紫外线照射 参数设定 电流负极 镀锡溶液 晶圆表面 晶圆正面 连接触点 胶带 镀锡 蒸金 粘贴 平整 芯片 配置 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆背面镀锡工艺，其特征在于，包括以下步骤，步骤一，将晶圆正面蒸金或蒸银；步骤二，将紫外线照射胶带黏贴在晶圆表面；步骤三，在晶圆背面设置电流负极连接触点；步骤四，将通过配置特定比例的镀锡溶液和参数设定，对晶圆背面进行镀锡作业。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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