[发明专利]一种晶圆背面镀锡工艺及装置在审
申请号: | 201711400331.4 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN109950155A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 聂仁勇 | 申请(专利权)人: | 海太半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C25D7/12 |
代理公司: | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人: | 赵华 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀锡工艺 晶圆背面 种晶 背面 焊料 紫外线照射 参数设定 电流负极 镀锡溶液 晶圆表面 晶圆正面 连接触点 胶带 镀锡 蒸金 粘贴 平整 芯片 配置 | ||
本发明提供一种晶圆背面镀锡工艺,其特征在于,包括以下步骤,步骤一,将晶圆正面蒸金或蒸银;步骤二,将紫外线照射胶带黏贴在晶圆表面;步骤三,在晶圆背面设置电流负极连接触点;步骤四,将通过配置特定比例的镀锡溶液和参数设定,对晶圆背面进行镀锡作业;本发明的有益效果为,芯片的粘贴更加平整;焊料的使用量容易掌控,不会过多或过少;降低了含量的使用量。
技术领域
本发明涉及一种镀锡工艺及装置,尤其涉及半导体晶圆背面电镀锡工艺及装置。
背景技术
镀锡及其合金是一种可焊性良好并具有一定耐蚀能力的涂层,电子元件、印制线路板中广泛应用。锡层的制备除热浸、喷涂等物理法外,电镀、浸镀及化学镀等方法因简单易行已在工业上广泛应用。
已公开中国实用新型专利,公开号:CN106939398A,专利名称:一种金属丝镀锡工艺及其镀锡装置,申请日:20170504,其公开了本发明提出一种金属丝镀锡工艺及一种金属丝镀锡装置,金属丝镀锡工艺包括以下步骤:对金属丝卷进行放线,并对金属丝进行在线退火;将退火后的金属丝连续通过熔融状态下的镀锡水;将金属丝连续穿过环形气刷中心位置,通过环形气刷将金属丝表面上粘的多余镀锡液吹掉,使金属丝表面涂覆上均匀的镀锡层;对镀锡金属丝进行冷却,并将冷却后的镀锡金属丝绕制成镀锡金属丝卷。本发明的金属丝镀锡装置用于本发明的金属丝镀锡工艺。通过本发明的金属丝镀锡工艺及金属丝镀锡装置为非圆形截面的金属丝镀锡,可得到镀层分布均匀且表面光滑的镀锡金属丝,不会失去非圆形截面的金属丝的预设焊接特性。
在现有中大功率分立三极管及集成电路封装贴片工艺中,铅锡合金焊接是利用铅锡合金作焊料,把背面已蒸金(银)或镀镍的芯片,焊接在镀银或镀镍的基座或引线框架上。由于锡铅合金焊料需要先涂在引线框架上,并通过扩展器对锡铅合金进行碾压扩大,以便粘合芯片。由于锡铅合金在高温下处于液态,芯片通过吸嘴黏贴到锡铅合金焊料上。在生产过程中容易出现芯片倾斜或偏移,锡铅焊料过多或过少,焊料分布不足,多余焊锡料等问题。
发明内容
本发明的目的在于解决传统镀锡工艺容易造成芯片倾斜或偏移,焊料分布不均,焊料量不易控制的问题。
本发明提供一种晶圆背面镀锡工艺,其特征在于,包括以下步骤,
步骤一,将晶圆正面蒸金或蒸银;
步骤二,将紫外线照射胶带黏贴在晶圆表面;
步骤三,在晶圆背面设置电流负极连接触点;
步骤四,将通过配置特定比例的镀锡溶液和参数设定,对晶圆背面进行镀锡作业;
优选的,所述特定比例的镀锡溶液包括活性酸TOP SAN,稀酸SP-ACID,镀金SP-Lead、SP-Tin、MH-1K、SP-ACID,中和Na3PO4;
优选的,所述活性酸TOP SAN占比例150g/l;所述稀酸SP-ACID占比例60g/l;所述镀金SP-Lead、SP-Tin、MH-1K、SP-ACID占比例80g/l;所述中和Na3PO4 占比例50g/l;
优选的,所述参数包括镀锡电流,镀锡时间,晶圆旋转速度,氮气喷气口,温度;
优选的,所述镀锡电流范围为0~10A;所述镀锡时间范围为30s~10m;所述晶圆转速为1~10转/分;所述温度范围为25~70℃;
优选的,一种晶圆背面镀锡装置,包括吸嘴1,锡炉2,增压泵3,过滤棉4,排液管5,排气管6;
所述吸嘴1设置在所述锡炉2的正上方;
所述增加泵3一端连接所述过滤棉4;
所述增加泵3另一端连接所述锡炉2;
所述过滤棉4另一端连接所述锡炉2;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造