[发明专利]双极晶体管的制作方法

摘要

本发明涉及一种双极晶体管及其制作方法。所述制作方法在形成发射极多晶硅前包括以下步骤：在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成绝缘保护层；在所述第一开口处的绝缘保护层上形成光刻胶，所述光刻胶包括位于所述第一开口中央的第一部分及位于所述第一部分两侧的多个间隔排列的第二部分；利用所述光刻胶对所述绝缘保护层进行湿法腐蚀，使得所述绝缘保护层形成位于所述第一开口中央的第一保护部及位于所述第一保护部两侧的多个间隔设置的第二保护部；在所述氧化层及所述第二保护部及邻近所述第二保护部的部分所述第一保护部上形成基极多晶硅及位于所述基极多晶硅上的氧化硅。所述绝缘保护层作为发射区保护材料，避免发射极‑基极短路。

主权项

一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层，通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，在所述隔离沟槽中形成填充物，形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，在所述N型外延层、所述隔离沟槽及所述N阱上形成氧化层，所述氧化层包括贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的第一开口；在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成绝缘保护层；在所述第一开口处的绝缘保护层上形成光刻胶，所述光刻胶包括位于所述第一开口中央的第一部分及位于所述第一部分两侧的多个间隔排列的第二部分；利用所述光刻胶对所述绝缘保护层进行湿法腐蚀，使得所述绝缘保护层形成位于所述第一开口中央的第一保护部及位于所述第一保护部两侧的多个间隔设置的第二保护部；在所述氧化层及所述第二保护部及邻近所述第二保护部的部分所述第一保护部上形成基极多晶硅及位于所述基极多晶硅上的氧化硅；湿法去除所述第一保护部形成第二开口；进行基区注入及P型扩散，从而形成对应所述第二开口的基区及连接于所述基区且位于所述基极多晶硅下方的P型接触区；在所述基区上形成发射极多晶硅，其中所述发射极多晶硅与所述第一保护部、所述基极多晶硅及氧化硅具有间隔。