[发明专利]双极晶体管的制作方法

说明书

本发明涉及一种双极晶体管及其制作方法。所述制作方法在形成发射极多晶硅前包括以下步骤：在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成绝缘保护层；在所述第一开口处的绝缘保护层上形成光刻胶，所述光刻胶包括位于所述第一开口中央的第一部分及位于所述第一部分两侧的多个间隔排列的第二部分；利用所述光刻胶对所述绝缘保护层进行湿法腐蚀，使得所述绝缘保护层形成位于所述第一开口中央的第一保护部及位于所述第一保护部两侧的多个间隔设置的第二保护部；在所述氧化层及所述第二保护部及邻近所述第二保护部的部分所述第一保护部上形成基极多晶硅及位于所述基极多晶硅上的氧化硅。所述绝缘保护层作为发射区保护材料，避免发射极‑基极短路。

【技术领域】

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，特别地，涉及一种双极晶体管的制作方法。

【背景技术】

起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管，即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极晶体管中，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。单双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

在现有双极晶体管的制作过程中，在做基极多晶硅刻蚀时，底部材料也为硅，因此多晶硅刻蚀工艺及其难控制。若增大刻蚀量，则会损伤到底部的硅(即发射区表面)，会造成器件放大系数不稳定。若减小刻蚀量，则有可能导致多晶硅刻蚀不净，最终导致器件发射极-基极短路，器件失效，从而影响器件的可靠性。

【发明内容】

本发明的其中一个目的在于为解决上述至少一个技术问题而提供一种双极晶体管的制作方法及通过所述制作方法获得的双极晶体管。

一种双极晶体管的制作方法，其包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层，通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，在所述隔离沟槽中形成填充物，

形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，在所述N型外延层、所述隔离沟槽及所述N阱上形成氧化层，所述氧化层包括贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的第一开口；

在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成绝缘保护层；

在所述第一开口处的绝缘保护层上形成光刻胶，所述光刻胶包括位于所述第一开口中央的第一部分及位于所述第一部分两侧的多个间隔排列的第二部分；

利用所述光刻胶对所述绝缘保护层进行湿法腐蚀，使得所述绝缘保护层形成位于所述第一开口中央的第一保护部及位于所述第一保护部两侧的多个间隔设置的第二保护部；

在所述氧化层及所述第二保护部及邻近所述第二保护部的部分所述第一保护部上形成基极多晶硅及位于所述基极多晶硅上的氧化硅；

湿法去除所述第一保护部形成第二开口；

进行基区注入及P型扩散，从而形成对应所述第二开口的基区及连接于所述基区且位于所述基极多晶硅下方的P型接触区；

在所述基区上形成发射极多晶硅，其中所述发射极多晶硅与所述第一保护部、所述基极多晶硅及氧化硅具有间隔。

在一种实施方式中，所述制作方法还包括以下步骤：在所述氧化层、所述氧化硅及所述发射极多晶硅上形成介质隔离层，以及形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化层且对应所述N阱的第一接触孔、贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、以及贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。