[发明专利]双极晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层，通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽，在所述隔离沟槽中形成填充物，

形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱，在所述N型外延层、所述隔离沟槽及所述N阱上形成氧化层，所述氧化层包括贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的第一开口；

在所述氧化层及所述第一开口处的N型外延层上形成绝缘保护层；

在所述第一开口处的绝缘保护层上形成光刻胶，所述光刻胶包括位于所述第一开口中央的第一部分及位于所述第一部分两侧的多个间隔排列的第二部分；

利用所述光刻胶对所述绝缘保护层进行湿法腐蚀，使得所述绝缘保护层形成位于所述第一开口中央的第一保护部及位于所述第一保护部两侧的多个间隔设置的第二保护部；

在所述氧化层及所述第二保护部及邻近所述第二保护部的部分所述第一保护部上形成基极多晶硅及位于所述基极多晶硅上的氧化硅；

湿法去除所述第一保护部形成第二开口；

进行基区注入及P型扩散，从而形成对应所述第二开口的基区及连接于所述基区且位于所述基极多晶硅下方的P型接触区；

在所述基区上形成发射极多晶硅，其中所述发射极多晶硅与所述第一保护部、所述基极多晶硅及氧化硅具有间隔。

2.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：

在所述氧化层、所述氧化硅及所述发射极多晶硅上形成介质隔离层，以及形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化层且对应所述N阱的第一接触孔、贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、以及贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。

3.如权利要求2所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法还包括以下步骤：

形成通过所述第三接触孔连接所述发射极多晶硅的发射极、通过所述第二接触孔连接所述基极多晶硅的基极及通过所述第一接触孔连接所述N阱的集电极。

4.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：平面上看，所述第一保护部邻近所述第二保护部的边缘具有锯齿状的凸凹结构，所述第二保护部为矩形，所述多个第二保护部呈矩阵排列。

5.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：平面上看，所述第二保护部到所述氧化层的距离为L1，所述基极多晶硅在所述N型外延层上的宽度为L2，所述L1小于所述L2减去所述绝缘保护层的厚度。

6.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述绝缘保护层的材料包括氧化硅、氮化硅或氧化铝，所述绝缘保护层的厚度在200埃到300埃的范围内。

7.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述第一保护部的宽度小于所述P型接触区的深度的两倍。

8.如权利要求1所述的双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述P型接触区的深度为0.5μm，所述第一保护部的宽度小于1μm。

9.一种双极晶体管，其特征在于：所述双极晶体管包括P型衬底、在所述P型衬底上形成的N型埋层、在所述N型埋层上形成的N型外延层、贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽、位于所述隔离沟槽中的填充物、贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱、在所述N型外延层、所述隔离沟槽及所述N阱上形成的氧化层、贯穿所述氧化层且对应所述N型外延层的第一开口，位于所述第一开口处的N型外延层表面的基区及连接所述基区的P型接触区、形成于所述P型接触区上的绝缘保护层、形成于所述绝缘保护层及所述氧化层上的基极多晶硅及位于所述基极多晶硅上的氧化硅层、形成于所述基区上的发射极多晶硅，其中，所述绝缘保护层包括多个间隔设置的保护部，所述发射极多晶硅与所述绝缘保护层的保护部、所述基极多晶硅及氧化硅层具有间隔。

10.如权利要求9所述的双极晶体管，其特征在于：所述双极晶体管还包括在所述氧化层、所述氧化硅层及所述发射极多晶硅上形成的介质隔离层、贯穿所述介质隔离层及所述氧化层且对应所述N阱的第一接触孔、贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔、通过所述第三接触孔连接所述发射极多晶硅的发射极、通过所述第二接触孔连接所述基极多晶硅的基极及通过所述第一接触孔连接所述N阱的集电极。