[发明专利]具有多个氮化层的装置结构有效
| 申请号： | 201711391298.3 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108231767B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·宣克;R·布拉特;J·伯纳姆;约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有多个氮化层的装置结构，其揭露场效应晶体管的装置结构以及形成场效应晶体管的装置结构的方法。在半导体层上形成第一介电层并氮化该第一介电层。在该第一介电层与该半导体层之间的第一界面处形成富氮层。在该半导体层与第二介电层之间的第二界面处形成另一富氮层。装置结构可包括场效应晶体管，其包括该富氮层的其中一个、两个以及/或者两个都不包括。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体层上形成第一介电层；氮化该第一介电层；在该第一介电层与该半导体层之间的第一界面处形成第一富氮层；以及在该半导体层与第二介电层之间的第二界面处形成第二富氮层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
