[发明专利]一种ZnO纳米棒阵列发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO纳米棒阵列发光二极管，包括p‑GaN衬底、n‑ZnO纳米棒阵列、AlN薄膜壳层、Ag纳米颗粒和金属电极；方法包括如下步骤：在p‑GaN衬底上生长n‑ZnO纳米棒阵列；在n‑ZnO纳米棒上溅射一层AlN薄膜壳层；在ZnO‑AlN核壳纳米棒上溅射Ag纳米颗粒；在n‑ZnO和p‑GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极，形成发光二极管。通过AlN薄膜表面钝化纳米棒，抑制ZnO的表面态和表面缺陷，提高了纳米棒载流子注入效率，提升了发光二极管的稳定性；在纳米棒上溅射Ag纳米颗粒，通过Ag表面等离激元与发光二极管电致发光强的相互耦合作用，电致发光性能明显提高，同时缺陷发光被抑制。

主权项

1.一种ZnO纳米棒阵列发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在p-GaN衬底上生长n-ZnO纳米棒阵列，形成p-GaN-n-ZnO异质结构；(2)在步骤(1)得到的异质结构中的n-ZnO纳米棒阵列上溅射一层AlN薄膜，形成p-GaN-n-ZnO-AlN复合体系；(3)在步骤(2)得到的复合体系中的n-ZnO-AlN上溅射Ag纳米颗粒，形成p-GaN-n-ZnO-AlN-Ag复合体系；(4)在步骤(3)得到的复合体系中p-GaN一端和n-ZnO纳米棒阵列一端分别制备金属电极，即得。