[发明专利]芯片表层蒸发锡工艺在审
| 申请号： | 201711373277.9 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108183072A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 唐冬;刘旸;白羽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片表层蒸发锡工艺，属于半导体分立器件技术领域。该工艺是在常规芯片结构的正面金属上采用真空蒸发锡，获得正面金属表层为锡连接层的芯片。本发明芯片正面金属的顶层进行再次蒸发锡，使芯粒间可以通过锡直接互连，省去封装时的粘片和烧结等工步，大大节省了原材料，减少了工艺步骤，提高了器件的使用质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 蒸发 芯片 半导体分立器件 金属 常规芯片 工艺步骤 金属表层 芯片正面 烧结 连接层 顶层 互连 工步 芯粒 粘片 封装 | ||
【主权项】：
1.一种芯片表层蒸发锡工艺，其特征在于：该工艺是在常规芯片结构的正面金属上采用真空蒸发锡，获得正面金属表层为锡连接层的芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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