[发明专利]多阶层立体电路及其制作方法有效
申请号: | 201711369820.8 | 申请日: | 2017-12-18 |
公开(公告)号: | CN109727993B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 江昱维;邱家荣 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11524;H01L27/11551 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李永叶 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 形成牺牲层叠层于一组N层阶层集合中。在多层叠层集合上形成具有彼此隔离的第一和第二开口的第一刻蚀‑修整掩模。在M次刻蚀‑修整循环中的每一个中,使用第一刻蚀‑修整掩模来蚀穿阶层集合中的二个阶层。当N为奇数时,M为(N‑1)/2;当N为偶数时,M为(N/2)‑1。当N为偶数时,在单1次刻蚀‑修整循环中,使用第一刻蚀‑修整掩模来蚀穿阶层集合中的一个阶层。在i从1到T‑1的C(i)次刻蚀‑修整循环中,对第一刻蚀‑修整掩模进行修整,藉以扩大第一和第二开口刻蚀区的尺寸。其中,当N为奇数时,T为(N‑1)/2;当N为偶数时,T为N/2。在阶层集合上形成第二刻蚀掩模,覆盖开口刻蚀区其中的一个;并使用第二刻蚀掩模来蚀穿一个阶层。 | ||
搜索关键词: | 阶层 立体 电路 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种制作多阶层立体电路(multilevel 3D circuit)的方法,包括:在具有N层的一阶层集合中形成一叠层,该叠层包括被多个介电层隔离的多个牺牲层;其中N为大于2的整数;在该阶层集合上方形成一第一刻蚀‑修整掩模(etch‑trim mask);其中,该第一刻蚀‑修整掩模具有彼此隔离的一第一开口刻蚀区(open etch regions)和一第二开口刻蚀区;在M次刻蚀‑修整循环中的每一个中,使用该第一刻蚀‑修整掩模来蚀穿该阶层集合中的二个阶层;当N为奇数时,M为(N‑1)/2;当N为偶数时,M为(N/2)‑1;当N为偶数时,在一单1次刻蚀‑修整循环中,使用该第一刻蚀‑修整掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层;在i从1到T‑1的C(i)次刻蚀‑修整循环中,每一该些刻蚀‑修整循环都对该第一刻蚀‑修整掩模进行修整,藉以扩大该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区;当N为奇数时,T为(N‑1)/2;当N为偶数时,T为N/2;在该阶层集合上方形成一第二刻蚀掩模,该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区其中的一个上;而将被扩大的该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区的另一个暴露于外;以及使用该第二刻蚀掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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