[发明专利]多阶层立体电路及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201711369820.8 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN109727993B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 江昱维;邱家荣 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11578;H01L27/11524;H01L27/11551
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李永叶
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 阶层 立体 电路 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种制作多阶层立体电路的方法,包括:

在具有N层的一阶层集合中形成一叠层,该叠层包括被多个介电层隔离的多个牺牲层;其中N为大于2的整数;

在该阶层集合上方形成一第一刻蚀-修整掩模;其中,该第一刻蚀-修整掩模具有彼此隔离的一第一开口刻蚀区、一第二开口刻蚀区以及一第三开口刻蚀区;该第二开口刻蚀区位于该第一开口刻蚀区和该第三开口刻蚀区之间;

在M次刻蚀-修整循环中的每一个中,使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的二个阶层;当N为奇数时,M为(N-1)/2;当N为偶数时,M为(N/2)-1;

当N为偶数时,在一单1次刻蚀-修整循环中,使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层;

在i从1到M-1的M-1次刻蚀-修整循环C(i)中,每一该些刻蚀-修整循环都对该第一刻蚀-修整掩模进行修整,藉以扩大该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区;

在该阶层集合上方形成一第二刻蚀掩模,该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区其中的一个上;而将被扩大的该第一开口刻蚀区和该第二开口刻蚀区的另一个暴露于外;以及

使用该第二刻蚀掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层;

其中,当该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第二开口刻蚀区上时,会将被扩大的该第一开口刻蚀区和该第三开口刻蚀区暴露于外;当该第二刻蚀掩模覆盖于被扩大的该第一开口刻蚀区和该第三开口刻蚀区上时,会将被扩大的该第二开口刻蚀区暴露于外。

2.如权利要求1所述的制作多阶层立体电路的方法,其中蚀穿该阶层集合中的二个阶层的步骤,是先于或后于使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层的步骤。

3.如权利要求1所述的制作多阶层立体电路的方法,其中蚀穿该阶层集合中的二个阶层的步骤、形成该第一刻蚀-修整掩模的步骤、使用该第一刻蚀-修整掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层的步骤以及对该第一刻蚀-修整掩模进行修整的步骤,皆先于或后于形成该第二刻蚀掩模以及使用该第二刻蚀掩模来蚀穿该阶层集合中的一个阶层的步骤。

4.如权利要求1所述的制作多阶层立体电路的方法,其中该阶层集合中的多个阶层,包括一导电材料层和一绝缘材料层,于该阶层集合中的该些阶层上形成多个落着区之后,还包括:

于该些落着区上施加一介电填充物;

形成多个接触开口,穿过该介电填充物到达该些落着区;以及

在该些接触开口中形成多个层间连接器。

5.一种多阶层立体电路,包括:

一多阶层电路,具有多个电路单元,所述多个电路单元设置于具有N个阶层的一电路阶层集合中,每个阶层包括一个介电层和一个导电层,所述电路阶层集合为介电层和导电层依次堆叠的结构,其中N是大于2的整数;该电路阶层集合包括第一阶梯状结构、第二阶梯状结构以及第三阶梯状结构;

该第一阶梯状结构和该第二阶梯状结构的一个,包括一第一阶梯状结构构造;且该第一阶梯状结构和该第二阶梯状结构的另一个,包括与该第一阶梯状结构构造不同的一第二阶梯状结构构造;第三阶梯状结构的构造与第一阶梯状结构的构造相同;

一第一开口、一第二开口和一第三开口,分别位于该电路阶层集合上方,并覆盖于该第一阶梯状结构、该第二阶梯状结构和第三阶梯状结构上;其中该第二开口位于该第一开口和该第三开口中间;

其中,该第一阶梯状结构构造包括位于第L(i×2)阶层的多个落着区,i从1到M1,当N为奇数时,M1为(N-1)/2;当N为偶数时,M1为N/2;当N为奇数时,该第一阶梯状结构构造还包括位于第L(N)阶层的多个其他落着区;以及

当N为奇数时,该第二阶梯状结构构造包括位于第L(i×2+1)阶层的多个落着区,i从0到M2;当N为奇数时,M2为(N-1)/2;当N为偶数时,M2为N/2-1;当N为偶数时,该第二阶梯状结构构造还包括位于第L(N)阶层的多个其他落着区。

6.如权利要求5所述的多阶层立体电路,该第一阶梯状结构和该第三阶梯状结构包括该第一阶梯状结构构造;且该第二阶梯状结构包括该第二阶梯状结构构造。

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