[发明专利]双极晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种双极晶体管及其制作方法。所述制作方法包括以下步骤：提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层；通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；在所述隔离沟槽底部填充第一氧化物，所述第一氧化物的上表面高于所述N型埋层的下表面且低于所述N型埋层的上表面；在所述隔离沟槽的第一氧化物上填充N型多晶硅将所述隔离沟槽填满，对所述N型多晶硅进行高温氧化使得所述N型多晶硅全部氧化为所述第二氧化物，同时所述N型多晶硅的N型离子向所述N型外延层扩散从而形成包围所述隔离沟槽的N型阱区。

主权项

1.一种双极晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供P型衬底，在所述P型衬底上形成N型埋层，在所述N型埋层上形成N型外延层；通过光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；在所述隔离沟槽底部填充第一氧化物，所述第一氧化物的上表面高于所述N型埋层的下表面且低于所述N型埋层的上表面；在所述隔离沟槽的第一氧化物上填充N型多晶硅将所述隔离沟槽填满；对所述N型多晶硅进行高温氧化使得所述N型多晶硅全部氧化为所述第二氧化物，同时所述N型多晶硅的N型离子向所述N型外延层扩散从而形成包围所述隔离沟槽的N型阱区；在所述N型外延层表面形成基区、连接所述基区的基区P型接触区，在所述基区上的N型发射极多晶硅，在所述基区P型接触区上形成P型基区接触多晶硅，在所述P型基区接触多晶硅上形成氧化物隔离层，以及形成连接所述N型发射极多晶硅的发射极金属、连接所述P型基区接触多晶硅的基极金属及连接所述N型阱区的集电极金属。