[发明专利]用于系统级封装的硅通孔转接板有效
| 申请号： | 201711352508.8 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108109990B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于系统级封装的硅通孔转接板，包括：Si衬底(101)；多个横向二极管(102)，设置于所述Si衬底(101)内；隔离区(103)，设置于每个所述横向二极管(102)的两侧以在相邻两个隔离区之间形成器件区；TSV区(104)，设置于由所述器件区和所述隔离区形成区域的两侧；互连线(105)，对所述TSV区(104)的第一端面和所述横向二极管(102)进行串行连接；其中，所述隔离区(103)和所述TSV区(104)均上下贯通所述Si衬底(101)。本发明提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 系统 封装 硅通孔 转接 | ||
【主权项】：
1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：Si衬底(101)；多个横向二极管(102)，设置于所述Si衬底(101)内；隔离区(103)，设置于每个所述横向二极管(102)的两侧以形成横向封闭的器件区；TSV区(104)，设置于由所述器件区和所述隔离区(103)形成区域的两侧；互连线(105)，对所述TSV区(104)的第一端面和所述横向二极管(102)进行串行连接；其中，所述隔离区(103)和所述TSV区(104)均上下贯通所述Si衬底(101)。
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