[发明专利]用于系统级封装的防静电装置有效
申请号: | 201711352400.9 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108054156B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 张捷 | 申请(专利权)人: | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L27/02;H01L21/762 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 李斌 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于系统级封装的防静电装置,包括:Si衬底(101);器件区,设置于所述Si衬底(101)内,包括纵向结构的SCR管(102)和隔离区(103),所述隔离区(103)设置于所述SCR管(102)两侧且上下贯通所述Si衬底(101);第一TSV区(104)和第二TSV区(105),设置于所述Si衬底(101)内且位于所述器件区两侧且上下贯通所述Si衬底(101);互连线,设置于所述Si衬底(101)上用于串行连接所述第一TSV区(104)的第一端面、所述SCR管(102)和所述第二TSV区(105)的第一端面;金属凸点(106);设置于所述第一TSV区(104)的第二端面和所述第二TSV区(105)的第一端面上。本发明提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工ESD防护器件SCR管,增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
搜索关键词: | 用于 系统 封装 静电 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于系统级封装的防静电装置,其特征在于,包括:Si衬底(101);器件区,设置于所述Si衬底(101)内,包括纵向结构的SCR管(102)和隔离区(103),所述隔离区(103)设置于所述SCR管(102)两侧且上下贯通所述Si衬底(101);第一TSV区(104)和第二TSV区(105),设置于所述Si衬底(101)内且位于所述器件区两侧,上下贯通所述Si衬底(101);互连线,设置于所述Si衬底(101)上用于串行连接所述第一TSV区(104)的第一端面、所述SCR管(102)和所述第二TSV区(105)的第一端面;金属凸点(106),设置于所述第一TSV区(104)的第二端面和所述第二TSV区(105)的第一端面上。
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