[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711347871.0 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108010968B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：在硅衬底表面形成源区和漏区；在所述硅衬底表面形成氧化层，并对所述氧化层进行平坦化处理，使得所述源区和漏区暴露出来；通过对将所述源区和漏区之间的沟道区中的氧化层进行刻蚀处理，去除所述沟道区中的氧化层；在所述氧化层表面形成外延层，并对所述外延层进行回刻处理，其中所述外延层填充到所述沟道区；对所述沟道区的外延层两侧的氧化层进行刻蚀处理；在所述沟道区的外延层表面形成栅介质层，所述栅介质层覆盖所述源区和漏区所述沟道区；在所述栅介质层表面形成栅极。本发明还同时提供一种采用上述方法制作而成的鳍式场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底表面形成源区和漏区；在所述硅衬底表面形成氧化层，并对所述氧化层进行平坦化处理，使得所述源区和漏区暴露出来；通过对将所述源区和漏区之间的沟道区中的氧化层进行刻蚀处理，去除所述沟道区中的氧化层；在所述氧化层表面形成外延层，并对所述外延层进行回刻处理，其中所述外延层填充到所述沟道区；对所述沟道区的外延层两侧的氧化层进行刻蚀处理；在所述沟道区的外延层表面形成栅介质层，所述栅介质层覆盖所述源区和漏区所述沟道区；在所述栅介质层表面形成栅极。
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