[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在硅衬底表面形成源区和漏区；

在所述硅衬底表面形成氧化层，并对所述氧化层进行平坦化处理，使得所述源区和漏区暴露出来；

通过对将所述源区和漏区之间的沟道区中的氧化层进行刻蚀处理，去除所述沟道区中的氧化层；

在所述氧化层表面形成外延层，并对所述外延层进行回刻处理，其中所述外延层填充到所述沟道区；

对所述沟道区的外延层两侧的氧化层进行刻蚀处理；

在所述沟道区的外延层表面形成栅介质层，所述栅介质层覆盖所述源区和漏区所述沟道区；

在所述栅介质层表面形成栅极；

在对所述沟道区的外延层两侧的氧化层进行刻蚀处理之后，所述沟道区的外延层两侧和所述氧化层之间分别形成间隙，所述间隙使得所述沟道区的外延层的侧面也被暴露出来；所述栅介质层形成之后覆盖所述源区和漏区，同时覆盖所述沟道区的外延层表面和侧面，其中覆盖所述外延层侧面的部分位于所述外延层和所述氧化层之间的间隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底表面形成源区和漏区包括：

提供一个硅衬底，并在硅衬底的源区位置和漏区位置进行掺杂处理，形成源区和漏区；

在掺杂完成之后，通过光刻或刻蚀处理将源区和漏区刻蚀出来。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述源区和漏区采用离子注入方式进行掺杂，离子掺杂剂量为1.0¹⁵～9.0¹⁶个/cm²，注入能量为1～400KEV。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅层，且所述氧化层通过刻蚀或者化学机械抛光进行平坦化处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层经过回刻处理之后，所述沟道区内部的外延层保留，并与所述源区和漏区的表面平整。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在栅介质层表面形成栅极的步骤包括：

在所述栅介质层表面生长出栅极材料层，所述栅极材料层整体覆盖所述栅极材料层的表面；

在所述栅极材料层形成之后，通过光刻工艺将所述栅介质层表面的栅极材料层进行刻蚀处理，以使得所述栅极材料层仅覆盖所述沟道区，而不覆盖所述源区和漏区的主体部。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述栅极材料层为多晶硅层或者金属材料层。

8.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-7中任一项所述的鳍式场效应晶体管的制作方法制作而成。