[发明专利]晶闸管和用于制造晶闸管的方法在审
| 申请号： | 201711347764.8 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108206213A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 伯恩哈德·柯尼希;保罗·施特罗贝尔 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L21/332 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶闸管和用于制造晶闸管的方法。该晶闸管具有半导体本体，半导体本体具有第一导体类型的第一半导体区，半导体本体具有第二导体类型且与第一半导体区的内侧接触并延伸到半导体本体边缘的第二半导体区，半导体本体具有在第二半导体区上布置的第一导体类型的第三半导体区和在第三半导体区中布置的第二导体类型的第四半导体区，半导体本体具有第二导体类型且被布置在半导体本体的边缘区中的第二半导体区上的第五半导体区，第五半导体区的第一外表面构成第二半导体本体主侧的区，第五半导体区与半导体本体边缘平行布置，半导体本体包含第一凹槽，其源自第二半导体本体主侧的第一表面，平行于半导体本体边缘伸展并延伸到第二半导体区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体本体 半导体区 导体类型 晶闸管 第一表面 平行布置 边缘区 延伸 平行 伸展 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有半导体本体的晶闸管(1)，所述半导体本体具有第一半导体本体主侧(3)、与所述第一半导体本体主侧(3)相反布置的第二半导体本体主侧(4)以及半导体本体边缘(28)，所述半导体本体边缘(28)周围地包围所述半导体本体(2)并且连接所述第一半导体本体主侧(3)和所述第二半导体本体主侧(4)，其中所述半导体本体(2)具有第一导体类型的第一半导体区(5)，其中所述第一半导体区(5)的外侧(10)的一个区域构成所述第一半导体本体主侧(3)的第一表面(11)，其中所述半导体本体(2)具有第二导体类型的第二半导体区(6)，所述第二半导体区(6)与所述第一半导体区(5)的内侧(13)接触并且延伸到所述半导体本体边缘(28)，所述第一半导体区(5)的所述内侧(13)与所述第一半导体区(5)的所述外侧(10)相反布置，其中所述半导体本体(2)具有在所述第二半导体区(6)上布置的第一导体类型的第三半导体区(7)和在所述第三半导体区(7)中布置的第二导体类型的第四半导体区(8)，其中所述半导体本体(2)具有在所述半导体本体的边缘区(25)中的所述第二半导体区(6)上布置的第二导体类型的第五半导体区(9)，避开所述第一半导体本体主侧(3)的所述第五半导体区(9)的第一外表面(14)构成所述第二半导体本体主侧(4)的区域，其中所述第五半导体区(9)与所述半导体本体边缘(28)平行布置，其中所述半导体本体(2)引入第一凹槽(15)，所述第一凹槽(15)源自于所述第二半导体本体主侧(4)的第一表面(16)，平行于所述半导体本体边缘(28)伸展，并且延伸到所述第二半导体区(6)。
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