专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种功率半导体器件的结终端结构-CN202111228971.8在审
  • 刘江;高明超;孙琬茹 - 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司
  • 2021-10-21 - 2023-04-25 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种功率半导体器件的结终端结构,包括:金属化阴极层、第一导电类型导体区层、第一导电类型导体漂移区层、第二导电类型导体区层、金属化阳极层,第一导电类型导体漂移区和所述金属化阴极分别位于第一导电类型导体区的正面和背面,第二导电类型导体区位于第一导电类型导体漂移区的上部左侧;第三导电类型导体层及其中的若干沟槽单元和第一导电类型截止环;第三导电类型导体层位于第一导电类型导体漂移区上部且与第二导电类型导体区层横向对接,第一导电类型截止环位于第一导电类型导体漂移区上部的右侧,沟槽单元的分布密度从第一导电类型导体区层向第一导电类型截止环的纵长方向逐渐增多。
  • 一种功率半导体器件终端结构
  • [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010055754.2有效
  • 不公告发明人 - 张清纯
  • 2020-01-17 - 2022-05-24 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:第一导电类型导体层;第二导电类型导体区,设置在第一导电类型导体层的第一表面内;第一导电类型导体区,设置在第二导电类型导体区内;漂移区,设置在第一导电类型导体层的第一表面上,漂移区是第一导电类型;阱区,设置在漂移区内,且与第一导电类型导体区接触,阱区是第二导电类型;栅极绝缘层,至少形成在阱区侧面,且与第一导电类型导体区接触;栅极,设置在栅极绝缘层上;源极,设置在第一导电类型导体区上。该半导体器件栅极绝缘层的尖角设置在第一半导体器件的上方,远离第一导电类型导体层内的大电场,从而可以减小栅极绝缘层处的尖角电场。
  • 一种半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]一种横向高压器件-CN201811070263.4有效
  • 乔明;叶力;朱旭晗;李珂;林祺;张波 - 电子科技大学
  • 2018-09-13 - 2020-11-13 - H01L29/78
  • 本发明提供一种横向高压器件,元胞结构包括:第二导电类型导体衬底,第二导电类型导体,第一导电类型导体漂移区,第一导电类型导体漂移区设有堆叠的PN条,PN条包括:第一层第二导电类型埋层、第一层第一导电类型导体、第二层第二导电类型导体、第二层第一导电类型导体…第n层第二导电类型导体、第n层第一导电类型导体,源极第一导电类型JFET注入区设置在第二导电类型导体和堆叠的PN条之间且位于第二导电类型导体衬底上方,漏极第一导电类型JFET注入区设置在堆叠的PN条右侧且位于第二导电类型导体衬底上方,本发明有效缓解器件开启状态下JFET区耗尽甚至夹断对器件非饱和区的影响,提高器件的非饱和区电流。
  • 一种横向高压器件
  • [发明专利]一种改善关断特性的栅控晶闸管器件-CN201710709133.X有效
  • 任敏;林育赐;苏志恒;谢驰;李泽宏;张波 - 电子科技大学
  • 2017-08-17 - 2020-03-31 - H01L29/745
  • 本发明提供一种改善关断特性的栅控晶闸管器件,从下到上依次层叠金属化阳极、第一导电类型导体衬底、第二导电类型导体外延层、金属化阴极;还包括第一导电类型导体阱区、第二导电类型导体阱区、重掺杂第一导电类型导体区、栅极结构;仅在所述第二导电类型导体阱区的一侧具有轻掺杂第一导电类型导体区,轻掺杂第一导电类型导体区的下表面与第一导电类型导体阱区相接触,轻掺杂第一导电类型导体区的掺杂浓度和宽度满足在多晶硅栅极零偏压时,轻掺杂第一导电类型导体区被第二导电类型导体区完全耗尽;本发明提高了栅控晶闸管器件的最大可关断电流,同时有效地防止关断失效,提高栅控晶闸管器件的可靠性。
  • 一种改善特性晶闸管器件
  • [发明专利]一种基于LIGBT的栅控型采样器件-CN201910062575.9有效
  • 李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 - 电子科技大学
  • 2019-01-23 - 2021-04-13 - H01L29/739
  • 本发明提供一种基于LIGBT的栅控型采样器件,第一导电类型导体体区中具有第二导电类型导体阴极区,第二导电类型导体阴极区的右侧设置第一导电类型导体阴极区,第一导电类型导体阴极区的右侧依次设置第一个第二导电类型导体掺杂区、与第一个第二导电类型导体掺杂区紧邻的第一导电类型导体掺杂区、和第一导电类型导体掺杂区紧邻的第二个第二导电类型导体掺杂区;第二导电类型导体阴极区和第一导电类型导体阴极区上表面具有第三金属电极
  • 一种基于ligbt栅控型采样器件
  • [发明专利]光接收元件-CN96120192.4无效
  • 福永直树;久保胜 - 夏普株式会社
  • 1996-09-26 - 2002-03-13 - H01L27/146
  • 光接收元件包括第一导电类型的半导体衬底;形成于第一导电类型导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层;至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型导体区域,其中,形成于第一导电类型导体衬底的耗尽层的深度Xd与第一导电类型的半导体区域对第一导电类型导体衬底的扩散深度Xj之间的关系设置成在施加一个反向偏压时满足Xd≥Xj。
  • 接收元件
  • [发明专利]垂直的霍尔传感器结构-CN202010644009.1在审
  • M-C·韦基;R·埃尔韦;M·科尼尔斯;K·胡 - TDK-迈克纳斯有限责任公司
  • 2020-07-02 - 2021-01-05 - H01L43/04
  • 一种垂直的霍尔传感器结构,其具有衬底层、第一导电类型的半导体区域、分别从半导体区域的上侧延伸到半导体区域中的至少一个第一导电类型的第一、第二和第三半导体接通区域、至少一个第二导电类型的半导体接通区域,其中,第一导电类型的半导体接通区域彼此间隔开,并且在每个第一导电类型的半导体接通区域上布置有金属连接接通层,第二导电类型的第一半导体接通区域与第一导电类型的第一半导体接通区域邻接,或与第一导电类型的第一半导体接通区域具有最高0.2μm的间隔,第一导电类型的第一半导体接通区域与第二导电类型的第一半导体接通区域导电地连接。
  • 垂直霍尔传感器结构
  • [发明专利]功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构及其制造方法-CN201710495729.4在审
  • 任敏;谢驰;苏志恒;林育赐;李泽宏;张波 - 电子科技大学
  • 2017-06-26 - 2017-11-03 - H01L29/06
  • 本发明提供一种功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构及其制造方法,包括金属化阴极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型轻掺杂漂移区、场氧化层、第二导电类型导体主结、第一导电类型重掺杂截止环;位于所述第二导电类型导体主结与第一导电类型导体截止环之间的是第二导电类型导体RESURF层;第二导电类型导体RESURF层上方为第一导电类型导体漂移区;本发明第二导电类型导体主结旁边的第二导电类型导体轻掺杂RESURF层与其上方的第一导电类型导体漂移区相互耗尽,形成空间电荷区,引入y方向和z方向上的电场,改变x方向的电场分布,使x方向的表面电场由三角形分布变为近似梯形的分布,电场峰值降低,击穿电压得以提升
  • 功率半导体器件resurf终端结构及其制造方法
  • [发明专利]导体器件-CN201510098219.4在审
  • 壱岐村岳人 - 株式会社东芝
  • 2015-03-05 - 2016-01-27 - H01L29/861
  • 本发明描述了例如二极管的半导体器件。所述半导体器件包括第一导电类型衬底层。第二导电类型第一半导体层位于第一导电类型衬底层中。第一导电类型第二半导体层位于所述第一半导体层中并且与所述衬底层分开。第二导电类型第三半导体层位于所述第二半导体层中。第一导电类型第四半导体层位于所述第三半导体层中。第一导电类型第五半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第二导电类型第六半导体层位于所述第三半导体层中并且与所述第四半导体层分开。第一电极连接到所述第四半导体层。并且第二电极连接到所述第五半导体层和所述第六半导体层。
  • 半导体器件

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