[发明专利]晶闸管和用于制造晶闸管的方法

权利要求书

1.一种具有半导体本体的晶闸管(1)，所述半导体本体具有第一半导体本体主侧(3)、与所述第一半导体本体主侧(3)相反布置的第二半导体本体主侧(4)以及半导体本体边缘(28)，所述半导体本体边缘(28)周围地包围所述半导体本体(2)并且连接所述第一半导体本体主侧(3)和所述第二半导体本体主侧(4)，其中所述半导体本体(2)具有第一导体类型的第一半导体区(5)，其中所述第一半导体区(5)的外侧(10)的一个区域构成所述第一半导体本体主侧(3)的第一表面(11)，其中所述半导体本体(2)具有第二导体类型的第二半导体区(6)，所述第二半导体区(6)与所述第一半导体区(5)的内侧(13)接触并且延伸到所述半导体本体边缘(28)，所述第一半导体区(5)的所述内侧(13)与所述第一半导体区(5)的所述外侧(10)相反布置，其中所述半导体本体(2)具有在所述第二半导体区(6)上布置的第一导体类型的第三半导体区(7)和在所述第三半导体区(7)中布置的第二导体类型的第四半导体区(8)，其中所述半导体本体(2)具有在所述半导体本体的边缘区(25)中的所述第二半导体区(6)上布置的第二导体类型的第五半导体区(9)，避开所述第一半导体本体主侧(3)的所述第五半导体区(9)的第一外表面(14)构成所述第二半导体本体主侧(4)的区域，其中所述第五半导体区(9)与所述半导体本体边缘(28)平行布置，其中所述半导体本体(2)引入第一凹槽(15)，所述第一凹槽(15)源自于所述第二半导体本体主侧(4)的第一表面(16)，平行于所述半导体本体边缘(28)伸展，并且延伸到所述第二半导体区(6)。

2.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，所述第一凹槽(15)的至少部分(15’)被布置在所述第四半导体区(8)与所述第五半导体区(9)之间，其中至少在这些部分(15’)中，所述第一凹槽(15)不伸展到所述半导体本体边缘(28)。

3.根据权利要求2所述的晶闸管，其特征在于，所述第一凹槽(15)被构造成使得所述第五半导体区(9)具有界定所述第一凹槽(15)的外表面(19)。

4.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，所述半导体本体(2)具有第二凹槽(17)，所述第二凹槽(17)源自于所述第一半导体本体主侧(3)的所述第一表面(11)并且伸展到所述半导体本体边缘(28)，平行于所述半导体本体边缘(28)，并且至少延伸到所述第二半导体区(6)中的所述半导体本体边缘(28)。

5.根据权利要求4所述的晶闸管，其特征在于，在所述第一半导体本体主侧(3)的所述第一表面(11)的法线方向(N)的垂直方向(S)上，所述第一凹槽(15)的内边缘(B1)被布置为与所述第二凹槽(17)的内边缘(B2)相比更靠近所述半导体本体(2)的中心(M)。

6.根据权利要求4或5所述的晶闸管，其特征在于，在所述第一半导体本体主侧(3)的所述第一表面(11)的法线方向(N)的垂直方向上，第一凹槽边界线(S1)被布置为与第二凹槽边界线(S2)相比更靠近所述半导体本体(2)的中心(M)，所述第一凹槽边界线(S1)与所述第二半导体区(6)和所述第三半导体区(7)之间的边界在所述第一凹槽(15)上配合，所述第二凹槽边界线(S2)与所述第一半导体区(5)和所述第二半导体区(6)之间的边界在所述第二凹槽(17)上配合。

7.根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于，所述第一凹槽(15)伸展到所述半导体本体边缘(28)，其中所述第一凹槽(15)被构造成使得所述第五半导体区(9)具有界定所述第一凹槽(15)的外表面，其中所述第五半导体区(9)的界定所述第一凹槽(15)的所述外表面由所述第五半导体区(9)的所述第一外表面(14)构成。

8.根据权利要求7所述的晶闸管，其特征在于，所述半导体本体(2)具有第二凹槽(17)，所述第二凹槽(17)源自于所述第一半导体本体主侧(3)的所述第一表面(11)，伸展到所述半导体本体边缘(28)，平行于所述半导体本体边缘(28)，并且至少延伸到所述第二半导体区(6)中的所述半导体本体边缘(28)。