[发明专利]SGT器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SGT器件，包括：半导体衬底和其表面的第一外延层，屏蔽多晶硅和多晶硅栅；沟道区，源区和漏区。第一外延层的本体掺杂浓度为均匀掺杂；被屏蔽多晶硅侧面覆盖的第一外延层区域为纵向场板覆盖区，在纵向场板覆盖区中叠加有一个离子注入区，离子注入区在纵向场板覆盖区中引入一个第一导电类型掺杂峰值区，第一导电类型掺杂峰值区的掺杂浓度满足SGT器件工作时要保证对应纵向位置的纵向场板覆盖区和屏蔽多晶硅之间横向电压完全耗尽。本发明还公开了一种SGT器件的制造方法。本发明能实现在不影响器件的击穿电压的条件下降低器件的导通电阻，具有较低的工艺成本以及能减少体二极管反向恢复的Irrm和Qrr。

主权项

1.一种SGT器件，其特征在于，包括：第一导电类型重掺杂的半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成由第一导电类型轻掺杂的第一外延层；栅极结构包括沟槽，填充于所述沟槽中的屏蔽多晶硅和多晶硅栅；在所述第一外延层的表面形成有第二导电类型掺杂的沟道区，被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；在所述沟道区的表面形成有第一导电类型重掺杂的源区；由背面减薄后的所述半导体衬底组成漏区；漂移区由所述沟道区的底部到所述漏区之间所述第一外延层组成；所述第一外延层的本体掺杂浓度为均匀掺杂以减少外延工艺难度；令在所述沟道区的底部且被所述屏蔽多晶硅侧面覆盖的所述第一外延层区域为纵向场板覆盖区，在SGT器件工作时在所述漏区到所述沟道区的方向上所述纵向场板覆盖区的电压逐渐降低，由所述屏蔽多晶硅组成的纵向场板的电压不变，使得所述纵向场板覆盖区和所述屏蔽多晶硅之间呈横向电压逐渐降低的结构；在所述纵向场板覆盖区中叠加有一个第一导电类型的离子注入区，所述离子注入区在不增加外延工艺难度的条件下在所述纵向场板覆盖区中引入一个第一导电类型掺杂峰值区，第一导电类型掺杂峰值区的掺杂浓度满足所述SGT器件工作时要保证对应纵向位置的所述纵向场板覆盖区和所述屏蔽多晶硅之间横向电压完全耗尽，实现在不影响器件的击穿电压的条件下降低器件的导通电阻。