[发明专利]MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711339158.1 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109962106B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 刘强;俞文杰;蔡剑辉;陈治西;刘晨鹤;王曦 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的MOSFET器件，包括：具有图形化的衬底，所述衬底包括底层硅以及覆盖于所述底层硅表面的埋氧化层，且所述衬底中包括通过刻蚀埋氧化层形成的凹槽；位于所述凹槽上方、且采用二维半导体材料制成的沟道区域；所述二维半导体材料为过渡金属硫族化合物、黑磷、硅烯、锗烯或具有能带的石墨烯。本发明形成了一种无背栅结构的MOSFET器件，在受到高能射线和高能粒子照射时杜绝了衬底中氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的出现，避免了寄生背沟道的产生，使得MOSFET器件同时具有抗单粒子效应的性能和抗总剂量效应的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：具有图形化的衬底，所述衬底包括底层硅以及覆盖于所述底层硅表面的埋氧化层，且所述衬底中包括通过刻蚀埋氧化层形成的凹槽；位于所述凹槽上方、且采用二维半导体材料制成的沟道区域；所述二维半导体材料为过渡金属硫族化合物、黑磷、硅烯、锗烯或具有能带的石墨烯。
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