[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 201711336976.6 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108231658B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 森数洋司;卡尔·海因茨·普利瓦西尔;服部奈绪 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板(2)的方法，所述基板具有其上形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与所述第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，所述方法包括：从所述第一表面(2a)一侧向所述基板(2)施加脉冲激光束(LB)，其中，所述基板(2)由对所述脉冲激光束(LB)透明的材料制成，并且在所述脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从所述第一表面(2a)朝向所述第二表面(2b)的方向上离所述第一表面(2a)一距离的情况下，至少在沿着所述至少一条分割线(22)的多个位置处将所述脉冲激光束(LB)施加到所述基板(2)，以在所述基板(2)内部形成多个改性区域(23)，每个改性区域(23)完全布置在所述基板(2)的本体内，而不形成通向所述第一表面(2a)或所述第二表面(2b)的任何开口；以及沿着存在完全布置在所述基板(2)的所述本体内的所述改性区域(23)的所述至少一条分割线(22)去除基板材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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