[发明专利]基板处理方法

说明书

基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。

技术领域

本发明涉及一种处理基板的方法，所述基板具有上面形成至少一条分割线的第一表面和与第一表面相反的第二表面。

背景技术

在光学器件制造处理中，例如由n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层组成的光学器件层形成在诸如蓝宝石基板、碳化硅(SiC)基板或氮化镓(GaN)基板的单晶基板的正面上。通过交叉分割线(也称为“街道”)来划分光学器件层，以限定其中分别形成诸如发光二极管(LED)和激光二极管的光学器件的分离区域。通过在单晶基板的正面上提供光学器件层，形成光学器件晶片。光学器件晶片沿着分割线被分开(例如，切割)，以分割形成有光学器件的分离区域，由此获得作为芯片或裸芯片的单独光学器件。

作为沿着分割线划分晶片(诸如光学器件晶片)的方法，提出了一种激光处理方法，该激光处理方法在具有允许光束透过晶片的波长的脉冲激光束的焦点在要被分割的对象区域中位于晶片内部的情况下，沿着分割线将该脉冲激光束施加至晶片。以此方式，具有降低强度的改性层沿着每条分割线连续地形成在晶片内部。随后，通过使用断开工具(breaking tool)沿着每条分割线向晶片施加外力，由此将晶片分割成单独光学器件。在JP-A-3408805中公开了这种方法。

作为沿着分割线分割晶片(诸如光学器件晶片)的另一种方法，已经提出了在脉冲激光束的焦点在朝向晶片的背面的方向上位于离晶片的正面一距离处的情况下，向晶片施加该光束，以在单晶基板中创建多个孔区域。每个孔区域由非晶区域和通向晶片的正面的非晶区域中的空间构成。随后，通过使用断开工具沿着每条分割线向晶片施加外力，从而将晶片分成单独光学器件。

然而，当在上述分割方法中使用断开工具向晶片施加外力时，可能发生所得到的芯片或裸芯片相对于彼此的移位。这种裸芯片移位不仅使得拾取芯片或裸芯片的处理更加复杂，而且还导致损坏芯片或裸芯片的风险，例如，如果它们的侧表面由于移位而彼此接触。

此外，通过使用断开工具施加外力，各个芯片或裸芯片可能不能适当地彼此分离。首先，两个或更多个芯片或裸芯片在断开处理之后可能仍然至少部分地彼此连接，从而在裸芯片分离之后必须检查晶片。另一方面，在分离之后所得到的芯片或裸芯片的外形(即其侧表面的形状)不能以高精度被控制。

上述问题对于难以处理的透明晶体材料特别显著，诸如硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、钽酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、蓝宝石(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)等。

因此，仍然需要一种处理基板的方法，其允许以精确、可靠和有效的方式处理基板。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种处理基板的方法，其允许以准确、可靠和有效的方式处理基板。该目标通过具有权利要求1的技术特征的基板处理方法来实现。本发明的优选实施方式遵循从属权利要求。