[发明专利]一种沟槽型低势垒肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711336864.0 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108198866A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;徐妙玲;李明山 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型低势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管的有源区为沟槽结构，台面的顶部为肖特基接触，台面的侧壁和沟槽底部为电联通的高掺杂的p型区，并且沟槽底部形成p型欧姆接触；凹槽的深度为dt,宽度为Wt；台面宽度为Wm，所述p型区的结深为dp；Wt大于1μm，Wm大于0.5μm，dt大于0.5μm，dp大于0.5μm。本发明利用镜像力势垒降低的方法在台面上形成低势垒肖特基接触。台面侧壁和沟槽底部进行p+掺杂并进行欧姆接触，形成并联的pn二极管，增强器件的浪涌能力，同时屏蔽肖特基导电沟道，增加器件的耐压能力和耐高温能力。本发明的肖特基二极管能够降低器件的势垒，同时保持优越的耐高压、高温特性和浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 低势垒 肖特基接触 沟槽型 浪涌 势垒 制备 耐高温能力 导电沟道 高温特性 沟槽结构 降低器件 耐压能力 欧姆接触 台面侧壁 高掺杂 镜像力 耐高压 肖特基 台面 并联 侧壁 联通 屏蔽 源区 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型低势垒肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管的有源区为沟槽结构，台面的顶部为肖特基接触，台面的侧壁和沟槽底部为电联通的高掺杂的p型区，并且沟槽底部形成p型欧姆接触；凹槽的深度为dt,宽度为Wt；台面宽度为Wm，所述p型区的结深为dp；其中，Wt大于1μm，Wm大于0.5μm，dt大于0.5μm，dp大于0.5μm。
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