[发明专利]静态随机存储器及其制造方法

摘要

本申请公开了一种静态随机存储器及其制造方法，涉及半导体技术领域。静态随机存储器包括：在衬底上的第一组鳍片，包括间隔开的用于第一上拉晶体管的第一鳍片、用于第二上拉晶体管的第二鳍片、用于第一通过栅晶体管和第一下拉晶体管的第三鳍片、用于第二通过栅晶体管和第二下拉晶体管的第四鳍片；在衬底上的至少一个伪鳍片，每个伪鳍片对应至少一个鳍片且与对应的鳍片相邻；在每个鳍片上的栅极结构；在每个栅极结构两侧的鳍片中的第一和第二凹陷；在至少一个伪鳍片中的第三凹陷；在每个第一、第二和第三凹陷中分别外延形成的第一、第二和第三外延区，每个第三外延区和对应的鳍片中的第一或第二外延区合并为合并外延区；及在合并外延区上的接触件。

主权项

1.一种静态随机存储器，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上的第一组鳍片，包括彼此间隔开的用于第一上拉晶体管的第一鳍片、用于第二上拉晶体管的第二鳍片、用于第一通过栅晶体管和第一下拉晶体管的第三鳍片、以及用于第二通过栅晶体管和第二下拉晶体管的第四鳍片；在所述衬底上的至少一个伪鳍片，每个伪鳍片对应至少一个鳍片，并且与对应的鳍片相邻；在每个鳍片上用于各晶体管的栅极结构；在每个栅极结构两侧的鳍片中的第一凹陷和第二凹陷；在所述至少一个伪鳍片中的第三凹陷；在每个第一凹陷中外延形成的第一外延区；在每个第二凹陷中外延形成的第二外延区；在每个第三凹陷中外延形成的第三外延区，其中，每个伪鳍片中的第三外延区和与该伪鳍片对应的鳍片中的第一外延区合并或与该伪鳍片对应的鳍片中的第二外延区合并为合并外延区；以及在合并外延区上的接触件。