[发明专利]静态随机存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种静态随机存储器，其特征在于，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一组鳍片，包括彼此间隔开的用于第一上拉晶体管的第一鳍片、用于第二上拉晶体管的第二鳍片、用于第一通过栅晶体管和第一下拉晶体管的第三鳍片、以及用于第二通过栅晶体管和第二下拉晶体管的第四鳍片；

在所述衬底上的至少一个伪鳍片，每个伪鳍片对应至少一个鳍片，并且与对应的鳍片相邻；

在每个鳍片上用于各晶体管的栅极结构；

在每个栅极结构两侧的鳍片中的第一凹陷和第二凹陷；

在所述至少一个伪鳍片中的第三凹陷；

在每个第一凹陷中外延形成的第一外延区；

在每个第二凹陷中外延形成的第二外延区；

在每个第三凹陷中外延形成的第三外延区，其中，每个伪鳍片中的第三外延区和与该伪鳍片对应的鳍片中的第一外延区合并或与该伪鳍片对应的鳍片中的第二外延区合并为合并外延区；以及

在合并外延区上的接触件。

2.根据权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于，每个伪鳍片位于与该伪鳍片对应的鳍片上的栅极结构的一侧。

3.根据权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于，所述合并外延区包括第一上拉晶体管的源区、第二上拉晶体管的源区、第一通过栅晶体管的源区、第一下拉晶体管的源区、第二通过栅晶体管的源区或第二下拉晶体管的源区。

4.根据权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于，所述第一鳍片和所述第二鳍片位于所述第三鳍片与所述第四鳍片之间。

5.根据权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于，还包括：

在所述衬底上的第二组鳍片，所述第二组鳍片与所述第一组鳍片中的各鳍片相同，并且，所述第二组鳍片中的第四鳍片与所述第一组鳍片中的第三鳍片相邻。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的静态随机存储器，其特征在于，各鳍片之间的间距相同。

7.根据权利要求6所述的静态随机存储器，其特征在于，每个伪鳍片和与该伪鳍片对应的鳍片之间的距离为各鳍片之间的距离的一半。

8.一种静态随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括：

衬底；

在所述衬底上的第一组鳍片，包括彼此间隔开的用于第一上拉晶体管的第一鳍片、用于第二上拉晶体管的第二鳍片、用于第一通过栅晶体管和第一下拉晶体管的第三鳍片、以及用于第二通过栅晶体管和第二下拉晶体管的第四鳍片；

在所述衬底上的至少一个伪鳍片，每个伪鳍片对应至少一个鳍片，并且与对应的鳍片相邻；以及

在每个鳍片上用于各晶体管的栅极结构；

对每个栅极结构两侧的鳍片进行刻蚀以形成第一凹陷和第二凹陷，并对所述至少一个伪鳍片进行刻蚀以形成第三凹陷；

执行外延工艺，以在每个第一凹陷中形成第一外延区，在每个第二凹陷中形成第二外延区，并在每个第三凹陷中形成第三外延区，其中，每个伪鳍片中的第三外延区和与该伪鳍片对应的鳍片中的第一外延区合并或与该伪鳍片对应的鳍片中的第二外延区合并，以形成合并外延区；

在合并外延区上形成接触件。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，每个伪鳍片位于与该伪鳍片对应的鳍片上的栅极结构的一侧。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述合并外延区包括第一上拉晶体管的源区、第二上拉晶体管的源区、第一通过栅晶体管的源区、第一下拉晶体管的源区、第二通过栅晶体管的源区或第二下拉晶体管的源区。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一鳍片和所述第二鳍片位于所述第三鳍片与所述第四鳍片之间。