[发明专利]半导体器件及制造其的方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件可以包括衬底、在衬底上的第一掺杂区域和第二掺杂区域、在第一掺杂区域上的基极区域、在第二掺杂区域上的沟道区域、以及分别在基极区域和沟道区域上的第三掺杂区域和第四掺杂区域。第一掺杂区域和第二掺杂区域可以在基本平行于衬底的顶表面的第一方向上隔离而不直接接触。沟道栅极结构可以在沟道区域的侧表面上。基极区域的在基本垂直于衬底的顶表面的第二方向上的厚度可以等于或大于沟道区域的厚度。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上的第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域在第一方向上隔离而不直接接触，所述第一方向基本平行于所述衬底的顶表面；在所述第一掺杂区域上的基极区域；在所述第二掺杂区域上的沟道区域；分别在所述基极区域和所述沟道区域上的第三掺杂区域和第四掺杂区域；以及在所述沟道区域的侧表面上的沟道栅极结构，其中所述基极区域的在基本垂直于所述衬底的所述顶表面的第二方向上的厚度等于或大于所述沟道区域的厚度。