[发明专利]半导体元件

摘要

一种半导体元件，具有静态随机存取存储单元，静态随机存取存储单元包括第一、二P型金属氧化物半导体晶体管，形成于基底中N‑阱线区上方。第一、二N型金属氧化物半导体晶体管形成于基底中第一P‑阱线区上方，在N‑阱线区的第一边。第三、四N型金属氧化物半导体晶体管，形成于基底中第二P‑阱线区上方，在N‑阱线区的第二边。第一栅极线连接第一P型金属氧化物半导体晶体管与第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。第二栅极线连接第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。第三栅极线连接第二P型金属氧化物半导体晶体管与第三N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。第四栅极线连接第四N型金属氧化物半导体晶体管的栅极。第一、三N栅极线是L形状。

主权项

1.一种半导体元件，具有形成在基底上由六个晶体管构成的静态随机存取存储单元，其特征在于，该静态随机存取存储单元包括：第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管，形成于在基底中的N‑阱线区的上方；第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管形成于在基底中的第一P‑阱线区的上方，在该N‑阱线区的第一边；第三与第四N型金属氧化物半导体晶体管，形成于在基底中的第二P‑阱线区的上方，在该N‑阱线区的第二边；第一栅极线连接该第一P型金属氧化物半导体晶体管与该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；第二栅极线连接该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；第三栅极线连接该第二P型金属氧化物半导体晶体管与该第三N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；以及第四栅极线连接该第四N型金属氧化物半导体晶体管的栅极，其中该第一栅极线与该第三栅极线是L形状。