[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，具有形成在基底上由六个晶体管构成的静态随机存取存储单元，其特征在于，该静态随机存取存储单元包括：

第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管，形成于在基底中的N-阱线区的上方；

第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管形成于在基底中的第一P-阱线区的上方，在该N-阱线区的第一边；

第三与第四N型金属氧化物半导体晶体管，形成于在基底中的第二P-阱线区的上方，在该N-阱线区的第二边；

第一栅极线连接该第一P型金属氧化物半导体晶体管与该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；

第二栅极线连接该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；

第三栅极线连接该第二P型金属氧化物半导体晶体管与该第三N型金属氧化物半导体晶体管的栅极；以及

第四栅极线连接该第四N型金属氧化物半导体晶体管的栅极，

其中该第一栅极线与该第三栅极线是L形状。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一栅极线、该第二栅极线、第三栅极线、第四栅极线在该基底上方围成一个长方型。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第二栅极线与该第四栅极线是L形状或是直线形状。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该基底是硅基底。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该基底是硅在绝缘体上(SOI)的基底，包括顶硅层，用于形成该N-阱线区，该第一P-阱线区与该第二P-阱线区。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一P型金属氧化物半导体晶体管与该第一N型金属氧化物半导体晶体管构成第一反相器，该第二P型金属氧化物半导体晶体管与该第三N型金属氧化物半导体晶体管构成第二反相器。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其特征在于，该第二N型金属氧化物半导体晶体管与该第四N型金属氧化物半导体晶体管，当作开关元件。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，多个该静态随机存取存储单元沿着该N-阱线区，该第一P-阱线区与该第二P-阱线区形成。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，多个该N-阱线区，多个该第一P-阱线区与多个第二P-阱线区是平行延伸，构成静态随机存取存储单元阵列。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括栅极绝缘层至少在该第一到第四栅极线与该基底之间，分别在该第一与第二P型金属氧化物半导体晶体管以及该第一到第四N型金属氧化物半导体晶体管中。

11.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括第一与第二P型重掺杂区域在基底中，分别沿着该第一栅极线与该第三栅极线的弯折部分的外边，其中该第一与第二P型重掺杂区域与该第一栅极线与该第三栅极线的该弯折部、该第一与第二P-阱线区、以及N型源/漏区域，分别构成与接地端连接的第一栅二极管与第二栅二极管。

12.一种半导体元件，具有形成在基底上由六个晶体管构成的静态随机存取存储单元，其特征在于，该静态随机存取存储单元包括：

第一反相器与第二反相器，反相并联耦接于第一节点与第二节点之间，该第一反相器具有第一P型金属氧化物半导体晶体管及第一N型金属氧化物半导体晶体管，该第二反相器具有第二P型金属氧化物半导体晶体管及第二N型金属氧化物半导体晶体管；

第一开关晶体管，连接于该第二节点；

第二开关晶体管，连接于该第一节点；以及

第一、第二、第三、第四栅极线，分别连接该第一反相器、该第一开关晶体管、该第二反相器、该第二开关晶体管的多个栅极，

其中该第一栅极线与该第三栅极线，分别对应于该第一与第二N型金属氧化物半导体晶体管，在末端具有弯折部分，以构成L形状。