[发明专利]反熔丝器件和包括该反熔丝器件的存储器件在审
| 申请号： | 201711283435.1 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108231777A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李东贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L23/525;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种反熔丝器件包括编程晶体管和读晶体管。编程晶体管经由栅极绝缘层的绝缘击穿执行编程。读晶体管邻近编程晶体管并读取编程晶体管的状态。编程晶体管的第一栅极电极或读晶体管的第二栅极电极的至少之一被掩埋在基板中。 | ||
| 搜索关键词： | 编程晶体管 反熔丝器件 晶体管 栅极电极 读取 栅极绝缘层 存储器件 绝缘击穿 基板 编程 掩埋 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝器件，包括：编程晶体管，用于经由栅极绝缘层的绝缘击穿执行编程；以及读晶体管，邻近所述编程晶体管，用于读取所述编程晶体管的状态，其中所述编程晶体管的第一栅极电极或所述读晶体管的第二栅极电极的至少之一被掩埋在基板中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
