[发明专利]阵列基板以及显示装置有效
| 申请号： | 201711279569.6 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107910338B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 谢剑星;杨一峰;张骢泷 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区周边的驱动电路区，所述驱动电路区包括形成在衬底基板上的第一金属层，所述第一金属层通过图案化工艺形成有多条金属走线，所述多条金属走线中包含有相邻的并且相互绝缘的第一金属走线和第二金属走线；其中，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距设置为50μm以上，否则，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的面积差异设置为不超过10％。本发明还公开了包含如上所述阵列基板的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括显示区和位于所述显示区周边的驱动电路区，所述驱动电路区包括形成在衬底基板上的第一金属层，其特征在于，所述第一金属层通过图案化工艺形成有多条金属走线，所述多条金属走线中包含有相邻的并且相互绝缘的第一金属走线和第二金属走线；其中，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的间距设置为50μm以上，否则，所述第一金属走线和所述第二金属走线之间的面积差异设置为不超过10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
